Low

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC658AP.  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 4mA

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC658AP.
Technical Data Sheet (294.63KB) EN 查看所有技术文档

图片仅用于图解说明,详见产品说明。

产品信息

晶体管极性:
P沟道
电流, Id 连续:
4mA
漏源电压, Vds:
-30V
在电阻RDS(上):
0.044ohm
电压 @ Rds测量:
10V
阈值电压 Vgs:
1.8V
功耗 Pd:
1.6W
晶体管封装类型:
SuperSOT
针脚数:
6引脚
工作温度最高值:
150°C
产品范围:
-
汽车质量标准:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC(高度关注物质):
No SVHC (15-Jun-2015)

查找类似产品 按共同属性分组

法律与环境

潮湿敏感级别:
MSL 1 - Unlimited
原产地:
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.004351

替代选择

晶体管, MOSFET, P沟道, 4 A, -30 V, 0.044 ohm, -10 V, -1.8 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

1,325 有货

包装规格: 每卷

1+ CNY2.70 10+ CNY2.26 100+ CNY1.38 1000+ CNY1.17

购买

关联产品