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INFINEON  IPD60R385CPATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V

INFINEON IPD60R385CPATMA1
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产品信息

晶体管极性:
N沟道
电流, Id 连续:
9A
漏源电压, Vds:
650V
在电阻RDS(上):
0.35ohm
电压 @ Rds测量:
10V
阈值电压 Vgs:
3V
功耗 Pd:
83W
晶体管封装类型:
TO-252
针脚数:
3引脚
工作温度最高值:
150°C
产品范围:
-
MSL:
MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质):
No SVHC (17-Dec-2015)

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法律与环境

潮湿敏感级别:
MSL 1 -无限制
原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0003

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