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NXP  PMDT290UCE  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 800 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 750 mV

NXP PMDT290UCE
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图片仅用于图解说明,详见产品说明。

产品信息

晶体管极性:
N和P沟道
电流, Id 连续:
800mA
漏源电压, Vds:
20V
在电阻RDS(上):
0.29ohm
电压 @ Rds测量:
4.5V
阈值电压 Vgs:
750mV
功耗 Pd:
330mW
晶体管封装类型:
SOT-666
针脚数:
6引脚
工作温度最高值:
150°C
产品范围:
-
汽车质量标准:
-
MSL:
MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质):
No SVHC (17-Dec-2015)

查找类似产品 按共同属性分组

法律与环境

潮湿敏感级别:
MSL 1 -无限制
原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000001

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