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NXP  PMN35EN  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 30 V, 0.025 ohm, 10 V, 1.5 V

NXP PMN35EN
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图片仅用于图解说明,详见产品说明。

产品信息

晶体管极性:
N沟道
电流, Id 连续:
5.1A
漏源电压, Vds:
30V
在电阻RDS(上):
0.025ohm
电压 @ Rds测量:
10V
阈值电压 Vgs:
1.5V
功耗 Pd:
500mW
晶体管封装类型:
SOT-457
针脚数:
6引脚
工作温度最高值:
150°C
产品范围:
-
汽车质量标准:
-
MSL:
MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质):
No SVHC (17-Dec-2015)

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法律与环境

潮湿敏感级别:
MSL 1 -无限制
原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000011