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VISHAY  SI1424EDH-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 400 mV

VISHAY SI1424EDH-T1-GE3
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产品信息

晶体管极性:
N沟道
电流, Id 连续:
4A
漏源电压, Vds:
20V
在电阻RDS(上):
0.027ohm
电压 @ Rds测量:
4.5V
阈值电压 Vgs:
400mV
功耗 Pd:
2.8W
晶体管封装类型:
SOT-363
针脚数:
6引脚
工作温度最高值:
150°C
产品范围:
-
汽车质量标准:
-
MSL:
MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质):
No SVHC (15-Jun-2015)

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法律与环境

潮湿敏感级别:
MSL 1 -无限制
原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000005

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