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VISHAY  SI2302CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 20 V, 0.045 ohm, 8 V, 850 mV

产品概述

The SI2302CDS-T1-GE3 is a 20V N-channel TrenchFET® power MOSFET for use in load switching for portable devices.
  • ±8V Gate to source voltage

产品信息

晶体管极性:
N沟道
电流, Id 连续:
2.9A
漏源电压, Vds:
20V
在电阻RDS(上):
0.045ohm
电压 @ Rds测量:
8V
阈值电压 Vgs:
850mV
功耗 Pd:
710mW
晶体管封装类型:
TO-236
针脚数:
3引脚
工作温度最高值:
150°C
产品范围:
-
汽车质量标准:
-
MSL:
-
SVHC(高度关注物质):
No SVHC (15-Jun-2015)

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应用

  • 电源管理;
  • 便携式器材

法律与环境

潮湿敏感级别:
-
原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000008

替代选择

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