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VISHAY  SI3590DV-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.5 A, 30 V, 0.062 ohm, 4.5 V, 1.5 V

VISHAY SI3590DV-T1-GE3
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产品概述

The SI3590DV-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Ultra low RDS(on) for high Efficiency and optimized for high side and low side operation. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
  • Low conduction losses

产品信息

晶体管极性:
N和P沟道
电流, Id 连续:
2.5A
漏源电压, Vds:
30V
在电阻RDS(上):
0.062ohm
电压 @ Rds测量:
4.5V
阈值电压 Vgs:
1.5V
功耗 Pd:
830mW
晶体管封装类型:
TSOP
针脚数:
6引脚
工作温度最高值:
150°C
产品范围:
-
汽车质量标准:
-
MSL:
MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质):
No SVHC (15-Jun-2015)

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应用

  • 电源管理

法律与环境

潮湿敏感级别:
MSL 1 -无限制
原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000045

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