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VISHAY  SI4909DY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -8 A, -40 V, 0.021 ohm, -10 V, -1.2 V

VISHAY SI4909DY-T1-GE3
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图片仅用于图解说明,详见产品说明。

产品信息

晶体管极性:
双P沟道
电流, Id 连续:
-8A
漏源电压, Vds:
-40V
在电阻RDS(上):
0.021ohm
电压 @ Rds测量:
-10V
阈值电压 Vgs:
-1.2V
功耗 Pd:
3.2W
晶体管封装类型:
SOIC
针脚数:
8引脚
工作温度最高值:
150°C
产品范围:
-
汽车质量标准:
-
MSL:
MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质):
No SVHC (15-Jun-2015)

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法律与环境

潮湿敏感级别:
MSL 1 -无限制
原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000136

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