Low

VISHAY  SIR662DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1 V

VISHAY SIR662DP-T1-GE3
Technical Data Sheet (378.65KB) EN 查看所有技术文档

图片仅用于图解说明,详见产品说明。

产品概述

The SIR662DP-T1-GE3 is a 60V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in synchronous rectification, primary side switch, amusement system, DC/DC converter and point of load converter circuits. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
  • 100% Rg Tested
  • 100% UIS Tested
  • Low Qg for high efficiency

产品信息

晶体管极性:
N沟道
电流, Id 连续:
100A
漏源电压, Vds:
60V
在电阻RDS(上):
0.0022ohm
电压 @ Rds测量:
10V
阈值电压 Vgs:
1V
功耗 Pd:
104W
晶体管封装类型:
PowerPAK SO
针脚数:
8引脚
工作温度最高值:
150°C
产品范围:
-
汽车质量标准:
-
MSL:
MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质):
To Be Advised

查找类似产品 按共同属性分组

应用

  • 电源管理;
  • 工业

法律与环境

潮湿敏感级别:
MSL 1 -无限制
原产地:
Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0005

关联产品