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VISHAY  SIR802DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 20 V, 0.0041 ohm, 10 V, 600 mV

VISHAY SIR802DP-T1-GE3
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产品信息

晶体管极性:
N沟道
电流, Id 连续:
30A
漏源电压, Vds:
20V
在电阻RDS(上):
0.0041ohm
电压 @ Rds测量:
10V
阈值电压 Vgs:
600mV
功耗 Pd:
27.7W
晶体管封装类型:
PowerPAK SO
针脚数:
8引脚
工作温度最高值:
150°C
产品范围:
-
汽车质量标准:
-
MSL:
MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质):
To Be Advised

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法律与环境

潮湿敏感级别:
MSL 1 -无限制
原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000333

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