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VISHAY  SUP90N10-8M8P-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 8.8 mohm, 10 V, 2.5 V

VISHAY SUP90N10-8M8P-E3
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产品信息

晶体管极性:
N沟道
电流, Id 连续:
90A
漏源电压, Vds:
100V
在电阻RDS(上):
8.8mohm
电压 @ Rds测量:
10V
阈值电压 Vgs:
2.5V
功耗 Pd:
300W
晶体管封装类型:
TO-220AB
针脚数:
3引脚
工作温度最高值:
175°C
产品范围:
-
汽车质量标准:
-
MSL:
-
SVHC(高度关注物质):
No SVHC (15-Jun-2015)

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法律与环境

潮湿敏感级别:
-
原产地:
Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.002

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