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  制造商产品编号 库存编号 制造商 / 说明
库存数 如下物品价格
单价(含增值税)
数量
BSM080D12P2C008
BSM080D12P2C008 - 碳化硅MOSFET, 半桥, 双N沟道, 80 A, 1.2 kV, Module

3573215

碳化硅MOSFET, 半桥, 双N沟道, 80 A, 1.2 kV, Module

ROHM

场效应管, SIC MOSFET, 双 N 沟道, 1.2KV, 80A;

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BSM120C12P2C201
BSM120C12P2C201 - 碳化硅MOSFET, 斩波器, N沟道, 134 A, 1.2 kV, Module

3573216

碳化硅MOSFET, 斩波器, N沟道, 134 A, 1.2 kV, Module

ROHM

场效应管, SIC MOSFET, N沟道, 1.2KV, 134A;

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BSM180C12P2E202
BSM180C12P2E202 - 碳化硅MOSFET, 斩波器, N沟道, 204 A, 1.2 kV, Module

3573218

碳化硅MOSFET, 斩波器, N沟道, 204 A, 1.2 kV, Module

ROHM

场效应管, SIC MOSFET, N沟道, 1.2KV, 204A;

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BSM180C12P3C202
BSM180C12P3C202 - 碳化硅MOSFET, 斩波器, N沟道, 180 A, 1.2 kV, Module

3573219

碳化硅MOSFET, 斩波器, N沟道, 180 A, 1.2 kV, Module

ROHM

场效应管, SIC MOSFET, N沟道, 1.2KV, 180A;

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BSM180D12P2E002
BSM180D12P2E002 - 碳化硅MOSFET, 半桥, 双N沟道, 204 A, 1.2 kV, Module

3573220

碳化硅MOSFET, 半桥, 双N沟道, 204 A, 1.2 kV, Module

ROHM

场效应管, SIC MOSFET, 双 N 沟道, 1.2KV, 204A;

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    BSM180D12P3C007
    BSM180D12P3C007 - 碳化硅MOSFET, 半桥, 双N沟道, 180 A, 1.2 kV, Module

    3573221

    碳化硅MOSFET, 半桥, 双N沟道, 180 A, 1.2 kV, Module

    ROHM

    场效应管, SIC MOSFET, 双 N 沟道, 1.2KV, 180A;

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    BSM250D17P2E004
    BSM250D17P2E004 - 碳化硅MOSFET, 半桥, 双N沟道, 250 A, 1.7 kV, Module

    3573222

    碳化硅MOSFET, 半桥, 双N沟道, 250 A, 1.7 kV, Module

    ROHM

    场效应管, SIC MOSFET, 双 N 沟道, 1.7KV, 250A;

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    BSM300C12P3E201
    BSM300C12P3E201 - 碳化硅MOSFET, 斩波器, N沟道, 300 A, 1.2 kV, Module

    3573223

    碳化硅MOSFET, 斩波器, N沟道, 300 A, 1.2 kV, Module

    ROHM

    场效应管, SIC MOSFET, N沟道, 1.2KV, 300A;

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    BSM300C12P3E301
    BSM300C12P3E301 - 碳化硅MOSFET, 斩波器, N沟道, 300 A, 1.2 kV, Module

    3573224

    碳化硅MOSFET, 斩波器, N沟道, 300 A, 1.2 kV, Module

    ROHM

    场效应管, SIC MOSFET, N沟道, 1.2KV, 300A;

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    BSM300D12P2E001
    BSM300D12P2E001 - 碳化硅MOSFET, 半桥, 双N沟道, 300 A, 1.2 kV, Module

    3573225

    碳化硅MOSFET, 半桥, 双N沟道, 300 A, 1.2 kV, Module

    ROHM

    场效应管, SIC MOSFET, 双 N 沟道, 1.2KV, 300A;

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    BSM300D12P3E005
    BSM300D12P3E005 - 碳化硅MOSFET, 半桥, 双N沟道, 300 A, 1.2 kV, Module

    3573226

    碳化硅MOSFET, 半桥, 双N沟道, 300 A, 1.2 kV, Module

    ROHM

    场效应管, SIC MOSFET, 双 N 沟道, 1.2KV, 300A;

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    BSM400C12P3G202
    BSM400C12P3G202 - 碳化硅MOSFET, 斩波器, N沟道, 400 A, 1.2 kV, Module

    3573227

    碳化硅MOSFET, 斩波器, N沟道, 400 A, 1.2 kV, Module

    ROHM

    场效应管, SIC MOSFET, N沟道, 1.2KV, 400A;

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  • 将于 21-12-22 再提供 4
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    1+ CNY6,343.09 (CNY7,167.69) 4+ CNY6,124.63 (CNY6,920.83)

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    BSM400D12P2G003
    BSM400D12P2G003 - 碳化硅MOSFET, 半桥, 双N沟道, 400 A, 1.2 kV, Module

    3573228

    碳化硅MOSFET, 半桥, 双N沟道, 400 A, 1.2 kV, Module

    ROHM

    场效应管, SIC MOSFET, 双 N 沟道, 1.2KV, 400A;

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    1+ CNY14,855.00 (CNY16,786.15) 4+ CNY14,343.44 (CNY16,208.09)

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    BSM400D12P3G002
    BSM400D12P3G002 - 碳化硅MOSFET, 半桥, 双N沟道, 400 A, 1.2 kV, Module

    3573231

    碳化硅MOSFET, 半桥, 双N沟道, 400 A, 1.2 kV, Module

    ROHM

    场效应管, SIC MOSFET, 双 N 沟道, 1.2KV, 400A;

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    每个

    1+ CNY8,301.98 (CNY9,381.24)

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    最少订购量: 1 采购倍数: 1
    BSM600C12P3G201
    BSM600C12P3G201 - 碳化硅MOSFET, 斩波器, N沟道, 600 A, 1.2 kV, Module

    3573232

    碳化硅MOSFET, 斩波器, N沟道, 600 A, 1.2 kV, Module

    ROHM

    场效应管, SIC MOSFET, N沟道, 1.2KV, 600A;

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  • 将于 22-4-6 再提供 4
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    1+ CNY8,318.78 (CNY9,400.22) 4+ CNY8,032.28 (CNY9,076.48)

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    BSM600D12P3G001
    BSM600D12P3G001 - 碳化硅MOSFET, 半桥, 双N沟道, 600 A, 1.2 kV, Module

    3573233

    碳化硅MOSFET, 半桥, 双N沟道, 600 A, 1.2 kV, Module

    ROHM

    场效应管, SIC MOSFET, 双 N 沟道, 1.2KV, 600A;

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    1+ CNY11,902.85 (CNY13,450.22) 5+ CNY11,492.87 (CNY12,986.94)

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