AS4C512M16D3LB-12BCN

AS4C512M16D3LB-12BCN 是一款 512M x 16 位 DDR3L 同步 DRAM（SDRAM）。8Gb 双数据速率-3L DRAM 采用双数据速率架构，可实现高速运行。它内部配置为八组 DRAM。8Gb 芯片的组织结构为 64Mbit x 16I/Os x 8 组器件。这种同步器件可实现高达 1600Mb/sec/pin 的高速双数据率传输速率，适用于一般应用。该芯片的设计符合 DDR3L DRAM 的所有关键特性，所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK 上升和 CK# 下降）锁存。所有 I/O 均以源同步方式与差分 DQS 对同步。

• 符合 JEDEC 标准，支持 JEDEC 时钟抖动规范
• 电源： VDD 和 VDDQ = +1.35V, 向后兼容 VDD 和 VDDQ =+1.5V ±0.075V
• 完全同步运行，快速时钟速率： 800MHz
• 差分时钟、CK 和 CK#，双向差分数据选通、DQS 和 DQS#
• 8 个内部并行操作库，8n 位预取结构
• 流水线内部结构、预充电和主动掉电
• 可编程模式和扩展模式寄存器，附加延迟 (AL)：0、CL-1、CL-2
• 可编程突发长度：4、8，突发类型：连续/交错，输出驱动器阻抗控制
• 写入均衡、ZQ 校准、动态 ODT（Rtt-Nom 和 Rtt-WR）
• 96-ball FBGA 封装，商用温度范围为 0°C 至 95°C