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FQP11N40C
功率场效应管, MOSFET, N通道, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, 通孔
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FQP11N40C
库存编号2453436
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds400V
电流, Id 连续10.5A
漏源接通状态电阻0.43ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散135W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The FQP11N40C is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- 100% avalanche tested
- 28nC typical low gate charge
- 85pF typical low Crss
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
10.5A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
135W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
400V
漏源接通状态电阻
0.43ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
FQP11N40C 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.036287