0
Infineon

来自 Infineon 的 SiC 技术

CoolSiC™ 无与伦比的可靠性。多样性。系统优势。

SiC 解决方案使全新产品设计具有最佳的系统性价比。

作为拥有 20 年碳化硅 (SiC) 技术开发经验的领先电力供应商,Infineon 已经为更智能、更高效的电力生产、传输和消费需求做好了准备。

借助于 Infineon 广泛的产品组合,满足最高质量标准、长系统寿命和可靠性得到了保证。使用 CoolSiC™,客户甚至可以达到最严格的效率目标,同时操作系统成本也会得以下降。

Infineon 的 SiC 技术 – 主要优势

• 无与伦比的可靠性和质量

• 系统优势

• 多样性

栅氧化层可靠性 – 设定新标杆

为了进一步改进 SiC 技术,Infineon 大量投入到电屏蔽 SiC MOSFET 的导通态氧化层可靠性及 SiC 功率器件中电场条件引起的关断态氧化层应力的测试中。

今天,Infineon 可以宣称:

  • 由于优化了栅氧化层厚度,我们的栅氧化层屏蔽比其他 SiC MOSFET 制造商更有效。
  • 在使用寿命期间降低了栅氧化层故障率,并且不会出现早期故障,这些都转化为客户端最高可能的栅氧化层质量。

体二极管 – 必不可少的一部分

所有 CoolSiC™ MOSFET(不管是封装在 Infineon 的 SiC 模块中还是属于 Infineon 的 SiC 分立器件组合)都有一个集成体二极管。不需要额外的肖特基二极管。 该二极管无漂移。 必须采用同步整流(在短死区时间后以二极管模式打开通道)才能受益于低导通损失。

CoolSiC™ MOSFET 体二极管适用于硬换向,具有高度鲁棒性。事实证明,它长期稳定,不会漂移到超出数据表的限制。CoolSiC™ MOSFET 沟槽概念已针对体二极管的操作进行优化。嵌入到 p+ 区域的沟槽底部可增强体二极管区。

CoolSiC™ 实际应用

广泛而多样化的产品组合

Infineon 不断地在现有的硅类产品基础上增加基于 SiC 的产品,包括沟槽技术中革命性的 CoolSiC™ MOSFET。如今,该公司提供业内最全面的电力产品组合之一(从超低压到高压电力设备均有)。除了确保提供最适合的解决方案之外,我们还进一步优化了基于 SiC 的产品供应,以满足特定的应用要求。

CoolSiC™ MOSFET – 分立器件

产品编号规格封装应用

IMZA65R027M1H

CoolSiC™ 650 V,27 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET

立即购买

TO-247-4
  • 服务器
  • 通信
  • SMPS
  • 太阳能系统
  • 储能和电池化成
  • UPS
  • 电动汽车充电
  • 电机驱动装置
  • D 类放大器

IMZA65R048M1H

CoolSiC™ 650 V,48 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET

立即购买

TO-247-4

IMZA65R072M1H

CoolSiC™ 650 V,72 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET

立即购买

TO-247-4

IMW120R090M1H

CoolSiC™ 1200 V,90 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET

立即购买

TO-247-3
  • 太阳能系统
  • 电动汽车充电
  • 电源管理(工业 SMPS 和 UPS)
  • 电机控制和驱动

IMZ120R140M1H

CoolSiC™ 1200 V,140 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET

立即购买

TO247-4

IMBF170R1K0M1

CoolSiC™ 1700 V,1000 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET

立即购买

TO-263-7
  • 储能系统
  • 快速电动汽车充电
  • 工业驱动
  • 电源管理(工业 SMPS 和 UPS)
  • 太阳能系统

CoolSiC™ MOSFET – 模块

产品编号规格封装应用

F3L15MR12W2M1_B69

EasyPACK™ 2B 1200 V,具有 CoolSiC™ MOSFET、NTC 温度传感器和 PressFIT 接触技术的 15 mΩ 3-Level 模块

立即购买

AG-EASY2BM
  • 电动汽车充电
  • 高频开关应用
  • 直流/直流转换器
  • 太阳能系统
  • UPS 系统

F3L11MR12W2M1_B65

EasyPACK™ 2B 1200 V,Active NPC (ANPC) 拓扑中具有 CoolSiC™ MOSFET、NTC 温度传感器和 PressFIT 接触技术的 11 mΩ 3-Level 模块

立即购买

AG-EASY2BM
  • 3-level-applications
  • 电动汽车充电
  • 高频开关应用
  • 太阳能系统
  • 储能系统

FS45MR12W1M1_B11

EasyPACK™ 1B 1200 V,具有 CoolSiC™ MOSFET、NTC 和 PressFIT 接触技术的 45 mΩ Sixpack 模块

立即购买

AG-EASY1BM
  • 电动汽车充电
  • 高频开关应用
  • 直流/直流转换器
  • 太阳能系统
  • UPS 系统
  • 储能系统
  • 电机控制和驱动

F4-23MR12W1M1_B11

EasyPACK™ 1B 1200 V,具有 CoolSiC™ MOSFET、NTC 和 PressFIT 接触技术的 23 mΩ Fourpack 模块

立即购买

AG-EASY1BM
  • 电动汽车充电
  • 焊接
  • 高频开关应用
  • 直流/直流转换器
  • 太阳能系统
  • UPS 系统
  • 储能系统

FF2MR12KM1

62mm 1200 V,具有 CoolSiC™ MOSFET 的 2 mΩ 半桥模块

立即购买

AG-62MM-1
  • 太阳能系统
  • UPS 系统

FF3MR12KM1

62mm 1200 V,具有 CoolSiC™ MOSFET 的 3 mΩ 半桥模块

立即购买

AG-62MM-1
  • 太阳能系统
  • UPS 系统

EiceDRIVER™ SiC MOSFET 栅极驱动器 IC

产品编号规格封装应用

2EDS9265H

具有增强输入输出隔离的双通道栅极驱动器,UVLO 13 V

立即购买

WB-DSO16 10.3mm x 10.3mm
  • 服务器
  • 电信 DC-DC
  • 工业 SMPS
  • 同步整流
  • 砖转换器
  • UPS 系统
  • 电池储能
  • 电动汽车充电
  • 工业自动化
  • 电机驱动装置
  • 电动工具
  • 智能电网

2EDF9275F

具有功能性输入输出隔离的双通道栅极驱动器,UVLO 13 V

立即购买

NB-DSO16 10mm x 6mm

CoolSiC™ MOSFET – 分立器件

产品编号规格封装应用

AIMW120R045M1

CoolSiC™ 1200 V,45 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET,已获得 AEC-Q100/101 认证

立即购买

TO-247-3-41
  • 车载充电器/PFC
  • 升压器/DC-DC 转换器
  • 辅助逆变器

CoolSiC™ 肖特基二极管

AIDK08S65C5

CoolSiC™ 肖特基二极管 650 V / 8 A,基于 SiC 的肖特基势垒二极管,已获得 AEC-Q100/101 认证

立即购买

D2PAK (TO263-2-1)
  • 车载充电器/PFC
  • 升压器/DC-DC 转换器
  • 牵引逆变器

AIDK10S65C5

CoolSiC™ 肖特基二极管 650 V / 10 A,基于 SiC 的肖特基势垒二极管,已获得 AEC-Q100/101 认证

立即购买

D2PAK (TO263-2-1)

AIDK12S65C5

CoolSiC™ 肖特基二极管 650 V / 12 A,基于 SiC 的肖特基势垒二极管,已获得 AEC-Q100/101 认证

立即购买

D2PAK (TO263-2-1)

CoolSiC™ MOSFET – 模块

产品编号规格封装应用

FF08MR12W1MA1_B11A

EasyDUAL™ 1B 1200 V,具有 CoolSiC™ 汽车 MOSFET 和 PressFIT/NTC 的半桥模块,已获得 AQG 324 认证

立即购买

AG-EASY1B
  • 牵引逆变器
  • 辅助逆变器
  • 直流/直流转换器
产品编号描述目标应用主要功能与优势

主板:EVAL_PS_SIC_DP_MAIN

TO-247 3/4 针评估平台(主板)中的 EVAL_PS_SIC_DP_MAIN CoolSiC™ MOSFET 1200 V
用户指南

立即购买

针对太阳能系统、电动汽车充电、UPS、电源、电机控制和驱动的解决方案

特点:

  • 同类最佳的开关和传导损耗
  • 基准高阈值电压 Vth > 4 V
  • 0 V 关断栅电压实现轻松简单的栅驱动
  • 宽栅源电压范围
  • 适用于硬换向的低损坏鲁棒体二极管
  • 与温度无关的关断开关损耗

优点:

  • 效率最高
  • 减少冷却工作
  • 更高频率
  • 增加功率密度
  • 系统复杂性降低

子板:REF_PS_SIC_DP1

适用于 EVAL_PS_SIC_DP_MAIN(子板/驱动卡)的 REF_PS_SIC_DP1 米勒箝位功能板

立即购买

子板:REF_PS_SIC_DP2

适用于 EVAL_PS_SIC_DP_MAIN(子板/驱动卡)的 REF_PS_SIC_DP2 双极性电源功能板

立即购买

EVAL-M5-E1B1245N-SIC

CoolSiC™ MOSFET 电机驱动评估板(最大 7.5 kW 电机功率输出),配有 Sixpack 电源模块 FS45MR12W1M1_B11 和 EiceDRIVER™ 1200 V 隔离栅极驱动器 1EDI20H12AH
应用说明

立即购买

电机控制和驱动

特点:

  • 输入电压为 340~480 VAC
  • 车载 EMI 滤波器
  • 电源和信号部分基本绝缘
  • 使用 Δ∑-ADC 隔离电流传感
  • Δ∑-ADC 隔离直流母线电压的传感
  • 热敏电阻输出
  • 过载、短路、超温硬件保护
  • 坚固的栅极驱动器技术,具有抗瞬态和负电压的稳定性

优点:

  • MADK 经过优化,适用于具有很高 fsw的 GPD/伺服驱动
  • 配备适用于无传感器磁场定向控制 (FOC) 的所有组件群组

EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC

3300 W CCM 双向图腾柱 PFC 装置,使用 CoolSiC™ 650V、600V CoolMOS™ C7,并通过 XMC™ 微控制器进行数字控制

应用说明

三维模型

立即购买

高端服务器、数据中心、电信

特点:

  • 高能效无桥图腾柱 PFC
  • 通过 CoolSiC™ 沟槽 MOSFET 650V 实现
  • 通过 XMC1404 进行数字控制
  • 双向能力(DC-AC 操作)

优点:

  • 效率将近 99%
  • 高功率密度
  • 外形紧凑 (72 W/in3)
  • 低组件数量
  • 双向操作(数字控制)

基于 CoolSiC™ MOSFET 特征选择驱动器的标准

栅极驱动器电路和 IC 应该支持所有 CoolSiC™ MOSFET 特征(按照数据表)。值得推荐的特点包括:

  • 紧密的传播延迟匹配
  • 精确输入滤波器
  • 输出端供应范围宽
  • 负栅电压能力
  • 扩展 CMTI 能力
  • 有源米勒箝位
  • DESAT 保护

Infineon 的工程师已将上述特点全部考虑在内,以便让客户在选择 CoolSiC™ 时尽可能容易地选择正确的驱动器。
CoolSiC™ MOSFET 甚至可以用 0 V 关断栅电压驱动,这使得它成为目前市场上出售的 SiC MOSFET 中最简单的栅驱动设计。它简化了栅驱动电路,有助于消除高压隔离,同时减少了组件的数量。值得注意的是 MOSFET 的高鲁棒性以及在 MOSFET 阈值电压增加和电容比优化情况下对有害寄生导通的免疫力。

不需要过于复杂的 CoolSiC™ MOSFET 驱动。事实上,不需要任何漏源缓冲电路和栅源电容器。

了解详情

解决方案简介