可靠,性价比高,性能卓越

数字化、城市化和电动汽车等大趋势导致电力消耗增加,能源效率成为人们关注的焦点。对此情形,Infineon 从一个源头提供基于其著名的硅技术和创新的宽带隙器件(如基于 SiC 的 CoolSiC™ MOSFET)构建的全面系统解决方案。

Infineon 的 CoolSiC™ MOSFET 技术利用了碳化硅 (SiC) 的强大物理特性,如可在更高的电压、温度和频率下工作的能力。Infineon 在产品中增添了独特的特性,进一步提高了设备的性能。CoolSiC™ MOSFET 应用了 Infineon 卓越的 TRENCH 技术,能够为应用中的最低损失和运行中的最高可靠性提供保障。

CoolSiC™ MOSFET 适用于高温和恶劣的环境。因此,可在各种应用中以简化、高性价比的部署实现最高的系统效率。

应用内的优势

UPS

24/7 全天候运行,将能源损失降低 50%,实现最高效率

服务器电源

通过提高能源效率和减少 30% 的损失,实现运营成本的节约

快速电动汽车充电器

电动汽车充电速度快了两倍

能源储备

损失减少 50%,相当于额外节省了能源

通信电源

简化的设计,适合恶劣的 5G 环境

太阳能逆变器

逆变器重量相同,但功率加倍

新封装变体:采用 D2PAK 7 针的 CoolSiC™ MOSFET 650V

  • 优化了大电流下的开关行为
  • 低 Qrr 换向鲁棒快体二极管
  • 卓越的栅氧化层可靠性
  • Tj,max=175°C,优异的热性能
  • RDS(on) 和脉冲电流与温度的相关性较低
  • 雪崩性能增强
  • 与标准驱动器兼容(推荐驱动电压:0V-18V)
  • Kelvin Source 的开关损失降低了 4 倍

CoolSiC MOSFET 650V

Infineon 20 多年来一直致力于开发固体碳化硅技术,而 650 V CoolSiC™ 正是建立在此基础之上。650V CoolSiC™ MOSFET 利用宽带隙 SiC 材料特性,兼具高性能、可靠性和易用性等优点。它适用于高温和恶劣的环境,以简化、高性价比的部署实现最高的系统效率。

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CoolSiC™ 功率型 MOSFET

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IMBG65R022M1HCoolSiC™ 650 V,22 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFETTO-263-7立即购买
IMBG65R030M1HCoolSiC™ 650 V,30 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFETTO-263-7立即购买
IMBG65R039M1HCoolSiC™ 650 V,39 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFETTO-263-7立即购买
IMBG65R048M1HCoolSiC™ 650 V,48 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFETTO-263-7立即购买
IMBG65R057M1HCoolSiC™ 650 V,57 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFETTO-263-7立即购买
IMBG65R072M1HCoolSiC™ 650 V,72 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFETTO-263-7立即购买
IMBG65R083M1HCoolSiC™ 650 V,83 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFETTO-263-7立即购买
IMBG65R107M1HCoolSiC™ 650 V,107 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFETTO-263-7立即购买
IMBG65R163M1HCoolSiC™ 650 V,163 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFETTO-263-7立即购买
IMBG65R260M1HCoolSiC™ 650 V,260 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFETTO-263-7立即购买
IMW65R048M1HCoolSiC™ 650 V,48 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFETTO-247-3立即购买
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IMZA65R027M1HCoolSiC™ 650 V,27 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFETTO-247-4立即购买
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IMZA65R072M1HCoolSiC™ 650 V,72 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFETTO-247-4立即购买

EiceDRIVER™ 1EDN TDI

在设计中使用 Infineon 的具有真差分输入的单通道非隔离 EiceDRIVER™ 栅极驱动器集成电路,可以解决地电位偏移问题。它是 CoolSiC™ MOSFET 的完美补充。

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EiceDRIVER™ 2EDi

150mil 16 针 DSO EiceDRIVER™ 2EDi 是双通道隔离产品系列的栅极驱动器集成电路,专为在高性能 CoolMOS™、CoolSiC™ 和 OptiMOS™ MOSFET 半桥中实现稳健运行而设计。

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适合 CoolSiC™ MOSFET 的栅极驱动器集成电路

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2EDF9275F具有功能性输入输出隔离的双通道栅极驱动器集成电路,UVLO 13 VNB-DSO16 10mmx6mm立即购买
1EDB9275F具有功能性输入输出隔离的单通道隔离栅极驱动器集成电路,UVLO 14.4VPG-DSO 8立即购买
1EDN7550B具有真差分输入的单通道非隔离栅极驱动器SOT-23立即购买
2EDS9265H具有增强输入输出隔离的双通道栅极驱动器集成电路,UVLO 13 VWB-DSO16 10.3mmx10.3mm立即购买

EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC

3300W CCM 双向图腾柱型 PFC 装置,使用 CoolSiC™ 650V、600V CoolMOS™ C7,并通过 XMC™ 进行数字控制

该评估板是一个系统解决方案,用于具有双向功率能力的无桥图腾柱型功率因子校正器 (PFC)。EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC 评估板适用于高端服务器和电信等需要高效率(约 99%)和高功率密度 (72W/in3) 的应用。此外,双向功率流能力允许将这种设计用于电池充电器或电池成型应用。

主要特点

  • 高能效无桥图腾柱型 PFC
  • 高功率密度
  • 通过 CoolSiC™ MOSFET 650V 实现
  • 通过 XMC1404 进行数字控制
  • 双向能力(DC-AC 操作)

优点

  • 效率将近 99%
  • 外形紧凑 (72W/in3)
  • 低组件数量
  • 双向操作(数字控制)

潜在的应用

  • 储能系统
  • 电池化成
  • 充电
  • 电动汽车充电
  • eMobility
  • 工业电源
  • 电源 (SMPS)
  • 机器人 - 自动引导车辆
  • 通信

EVAL_3KW_50V_PSU

针对 Open Compute V3 整流器规格设计的 3 kW SMPS 解决方案

本设计针对面向 OCP V3 整流器规格的 3 kW 电源装置 (PSU),推出了适用于服务器和数据中心的 Infineon 完整系统解决方案。该 PSU 包括一个前端 AC-DC 无桥图腾柱型转换器和一个后端 DC-DC 隔离半桥 LLC 转换器。前端图腾柱型转换器提供功率因子校正 (PFC) 和总谐波失真 (THD) 功能。LLC 转换器提供安全隔离和严格调节的输出电压。 

主要特点

  • 全套电源针对 Open Compute V3 整流器规格设计
  • 非常高的峰值效率
  • 图腾柱型 PFC 配备了 CoolSiC™
  • 半桥 LLC 配备了 CoolMOS™ 和 OptiMOS™
  • 通过 XMCTM 微控制器进行数字控制

优点

  • Open Compute V3 整流器 (PSU) 外形尺寸(整体尺寸)
  • 230VAC 时的峰值效率达到 95%(不包括风扇)
  • 整合了 CoolSiC™、CoolMOS™ 和 OptiMOS™,效率极高
  • 满载时可保持 20 毫秒
  • 通过了 EMC B 类预符合性检测

潜在的应用

  • 服务器和数据中心