CoolSiC™ 650 V 碳化硅 MOSFET
可靠，性价比高，性能卓越
数字化、城市化和电动汽车等大趋势导致电力消耗增加，能源效率成为人们关注的焦点。对此情形，Infineon 从一个源头提供基于其著名的硅技术和创新的宽带隙器件（如基于 SiC 的 CoolSiC™ MOSFET）构建的全面系统解决方案。
Infineon 的 CoolSiC™ MOSFET 技术利用了碳化硅 (SiC) 的强大物理特性，如可在更高的电压、温度和频率下工作的能力。Infineon 在产品中增添了独特的特性，进一步提高了设备的性能。CoolSiC™ MOSFET 应用了 Infineon 卓越的 TRENCH 技术，能够为应用中的最低损失和运行中的最高可靠性提供保障。
CoolSiC™ MOSFET 适用于高温和恶劣的环境。因此，可在各种应用中以简化、高性价比的部署实现最高的系统效率。
应用内的优势
UPS
24/7 全天候运行，将能源损失降低 50%，实现最高效率
服务器电源
通过提高能源效率和减少 30% 的损失，实现运营成本的节约
快速电动汽车充电器
电动汽车充电速度快了两倍
能源储备
损失减少 50%，相当于额外节省了能源
通信电源
简化的设计，适合恶劣的 5G 环境
太阳能逆变器
逆变器重量相同，但功率加倍
新封装变体：采用 D2PAK 7 针的 CoolSiC™ MOSFET 650V
- 优化了大电流下的开关行为
- 低 Qrr 换向鲁棒快体二极管
- 卓越的栅氧化层可靠性
- Tj,max=175°C，优异的热性能
- RDS(on) 和脉冲电流与温度的相关性较低
- 雪崩性能增强
- 与标准驱动器兼容（推荐驱动电压：0V-18V）
- Kelvin Source 的开关损失降低了 4 倍
CoolSiC MOSFET 650V
Infineon 20 多年来一直致力于开发固体碳化硅技术，而 650 V CoolSiC™ 正是建立在此基础之上。650V CoolSiC™ MOSFET 利用宽带隙 SiC 材料特性，兼具高性能、可靠性和易用性等优点。它适用于高温和恶劣的环境，以简化、高性价比的部署实现最高的系统效率。
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| 部件号 | 规格 | 封装 | 立即购买 |
|---|---|---|---|
| IMBG65R022M1H | CoolSiC™ 650 V，22 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET | TO-263-7 | 立即购买 |
| IMBG65R030M1H | CoolSiC™ 650 V，30 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET | TO-263-7 | 立即购买 |
| IMBG65R039M1H | CoolSiC™ 650 V，39 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET | TO-263-7 | 立即购买 |
| IMBG65R048M1H | CoolSiC™ 650 V，48 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET | TO-263-7 | 立即购买 |
| IMBG65R057M1H | CoolSiC™ 650 V，57 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET | TO-263-7 | 立即购买 |
| IMBG65R072M1H | CoolSiC™ 650 V，72 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET | TO-263-7 | 立即购买 |
| IMBG65R083M1H | CoolSiC™ 650 V，83 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET | TO-263-7 | 立即购买 |
| IMBG65R107M1H | CoolSiC™ 650 V，107 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET | TO-263-7 | 立即购买 |
| IMBG65R163M1H | CoolSiC™ 650 V，163 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET | TO-263-7 | 立即购买 |
| IMBG65R260M1H | CoolSiC™ 650 V，260 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET | TO-263-7 | 立即购买 |
| IMW65R048M1H | CoolSiC™ 650 V，48 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET | TO-247-3 | 立即购买 |
| IMW65R027M1H | CoolSiC™ 650 V，27 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET | TO-247-3 | 立即购买 |
| IMZA65R027M1H | CoolSiC™ 650 V，27 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET | TO-247-4 | 立即购买 |
| IMZA65R048M1H | CoolSiC™ 650 V，48 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET | TO-247-4 | 立即购买 |
| IMZA65R072M1H | CoolSiC™ 650 V，72 mΩ 基于 SiC 的沟槽 MOSFET | TO-247-4 | 立即购买 |
EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC
3300W CCM 双向图腾柱型 PFC 装置，使用 CoolSiC™ 650V、600V CoolMOS™ C7，并通过 XMC™ 进行数字控制
该评估板是一个系统解决方案，用于具有双向功率能力的无桥图腾柱型功率因子校正器 (PFC)。EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC 评估板适用于高端服务器和电信等需要高效率（约 99%）和高功率密度 (72W/in3) 的应用。此外，双向功率流能力允许将这种设计用于电池充电器或电池成型应用。
主要特点
- 高能效无桥图腾柱型 PFC
- 高功率密度
- 通过 CoolSiC™ MOSFET 650V 实现
- 通过 XMC1404 进行数字控制
- 双向能力（DC-AC 操作）
优点
- 效率将近 99%
- 外形紧凑 (72W/in3)
- 低组件数量
- 双向操作（数字控制）
潜在的应用
- 储能系统
- 电池化成
- 充电
- 电动汽车充电
- eMobility
- 工业电源
- 电源 (SMPS)
- 机器人 - 自动引导车辆
- 通信
EVAL_3KW_50V_PSU
针对 Open Compute V3 整流器规格设计的 3 kW SMPS 解决方案
本设计针对面向 OCP V3 整流器规格的 3 kW 电源装置 (PSU)，推出了适用于服务器和数据中心的 Infineon 完整系统解决方案。该 PSU 包括一个前端 AC-DC 无桥图腾柱型转换器和一个后端 DC-DC 隔离半桥 LLC 转换器。前端图腾柱型转换器提供功率因子校正 (PFC) 和总谐波失真 (THD) 功能。LLC 转换器提供安全隔离和严格调节的输出电压。
主要特点
- 全套电源针对 Open Compute V3 整流器规格设计
- 非常高的峰值效率
- 图腾柱型 PFC 配备了 CoolSiC™
- 半桥 LLC 配备了 CoolMOS™ 和 OptiMOS™
- 通过 XMCTM 微控制器进行数字控制
优点
- Open Compute V3 整流器 (PSU) 外形尺寸（整体尺寸）
- 230VAC 时的峰值效率达到 95%（不包括风扇）
- 整合了 CoolSiC™、CoolMOS™ 和 OptiMOS™，效率极高
- 满载时可保持 20 毫秒
- 通过了 EMC B 类预符合性检测
潜在的应用
- 服务器和数据中心
