“CoolGaN 是最佳选择。为什么?”

如果您认为 Infineon 是优质功率 MOSFET 的领先供应商,那么您完全正确!

但这样说并不全面。对于其所有高压开关产品,Infineon 还提供完美匹配的栅极驱动器 IC,以及各种配置、电压等级、隔离级别、保护功能和包装选项。因此,作为客户,您可受益于更快的开关速度和优化的整体系统性能。

Infineon 栅极驱动器 IC 的开发利用了公司的应用专业知识和先进的技术经验,确保它们适用于多种应用。

鉴于高功率 SMPS 市场中的功率密度有越来越高的趋势,我们需要更加快速的开关。同时,还必须找到方法来攻克设计上的难题,如寄生效应、电路板限制和可能存在的散热问题。凭借其 CoolMOS™ 超结 MOSFET (芯片技术)及其新推出的 CoolGaN™(氮化镓技术)产品组合,Infineon 提供的解决方案恰恰能够攻克这些难题。

现在购买产品组合,享受一站购齐专业产品的便利!

基于氮化镓技术的开关和驱动器

CoolGaN™ 600 V 增强模式 HEMT:最高效能和密度级别的开关式电源 (SMPS)

立即购买

依托于 CoolGaN™ 技术,Infineon 推出 GaN 增强模式高电子迁移率晶体管(增强模式 HEMT)产品组合,释放业界领先场性能,以极具吸引力的整体系统成本打造可靠耐用的系统。CoolGaN™ 晶体管采用最可靠的 GaN 技术为市场量身定制,可提供市场上最高效能和密度级别的开关模式电源。基于应用的认证方法超越了市场上的其他 GaN 产品。

高压 GaN 驱动 GaN EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC:用于增强模式 GaN HEMT 的单通道电流隔离栅极驱动器

立即购买

凭借完美匹配的栅极驱动器 IC 产品组合,Infineon 最新推出的 GoolGaN™ 开关产品系列易于使用。通过推出 GaN EiceDRIVER™ 系列,Infineon 扩展了其单通道电流隔离栅极驱动器 IC 系列的产品阵容。新开发的元件采用高栅极电流实现快速导通和稳健的栅极驱动拓扑,以优化具有非隔离栅极(二极管输入特性)和低阈值电压的增强模式 GaN HEMT 的性能。因此,驱动器的复杂性显著降低(嵌入需要中等工作量),不再需要定制驱动器。

基于芯片技术的开关和驱动器

Kelvin Source CoolMOS™ 超结 MOSFET

立即购买

凭借 CoolMOS™ 超结 MOSFET 产品,Infineon 在能效、功率密度和易用性方面设立了新标杆,在传导、开关和驱动损耗方面具有优异的品质因数。

市场上最全面的硅基超结 MOSFET 产品组合,以其较大的 RDS(on) 粒度、同类最佳的 RDS(on) /封装、卓越的效能、高性价比和较低的输出电容 (EOSS) 及栅极电荷量 (Qg) 而脱颖而出。

600 V CoolMOS™ G7 超结 MOSFET 和 CoolSiC™ 肖特基二极管 G6,采用双 DPAK (DDPAK) 封装

立即购买

凭借 600 V CoolMOS™ 超结 MOSFET G7 和 650 V CoolSiC™ 肖特基二极管 G6(均采用 DDPAK 封装),Infineon 为高电流硬开关拓扑(如 PFC)提供系统解决方案,并为 LLC 拓扑提供高端效能解决方案。通过将 DDPAK 产品与 Infineon 具备真差分输入 (1EDN TDI) 的单通道低侧栅极驱动器系列相结合,可提供针对高功率设计的优化系统解决方案。

EiceDRIVER™ 1EDN7550 和 1EDN8550 单通道、低侧非隔离栅极驱动器 IC ,具备真差分输入

立即购买

Infineon 新推出的 EiceDRIVER™ 1EDN7550 和 1EDN8550 单通道低侧非隔离栅极驱动器 IC 具有真差分输入。因此,它们非常适合具有地电位偏移问题的 SMPS。它们的特点在于,其控制信号输入在很大程度上独立于地电位。只有输入触点之间的电压差具有相关性。这可以防止对功率 MOSFET 的假触发。