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IR2109SPBF
双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IR2109SPBF
库存编号8638829
也称为IR2109SPBF, SP001538274
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置半桥
电源开关类型MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流200mA
灌电流350mA
电源电压最小值10V
电源电压最大值20V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟750ns
输出延迟200ns
产品范围-
合规-
MSLMSL 2 - 1年
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IR2109SPBF 是一款高压高速功率MOSFET与IGBT半桥驱动器, 高压侧和低压侧参考输出通道. 专有的HVIC与闭锁免疫CMOS技术实现了稳定耐用的单片结构. 逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容, 并且兼容3.3V逻辑. 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级, 旨在确保最小的驱动器交叉传导. 浮动通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT, 高压侧配置下, 工作电压高达600V.
- 浮动通道设计用于自举运作
- 可承受负瞬态电压 (DV/DT免疫)
- 两条通道具有欠压闭锁
- 兼容3.3, 5和15V逻辑输入
- 防跨导逻辑
- 两条通道具有匹配的传播延迟
- 高压侧输出与输入同相
- 低di/dt栅极驱动器, 增强抗噪能力
- 关断输入可关闭2条通道
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
半桥
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
200mA
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
750ns
产品范围
-
MSL
MSL 2 - 1年
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
非反向
灌电流
350mA
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
200ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.045359