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IRF640NPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, 通孔
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产品概述
IRF640NPBF是一款200V单N沟道HEXFET功率MOSFET, TO-220AB封装。此MOSFET具有极低的单位面积导通电, 额定动态dv/dt, 耐用的快速开关以及全雪崩额定, 功率MOSFET提供极高的效率和稳定性, 用于多种应用。
- 漏极至源极电压: 200V
- 栅极-源极电压: ±20V
- 导通电阻Rds (on)为150mohm
- 25°C, 功耗Pd: 150W
- Vgs 10V, 25°C, 连续漏电流Id: 18A
- 工作结温范围: -55°C至175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
18A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.15ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002041