打印页面
IRF640NPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, 通孔
29,018 有货
26,000 您现在可以预订货品了
5797 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
60 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
23161 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.990 (CNY12.4187) |
| 10+ | CNY5.290 (CNY5.9777) |
| 100+ | CNY5.010 (CNY5.6613) |
| 500+ | CNY3.780 (CNY4.2714) |
| 1000+ | CNY3.200 (CNY3.616) |
| 5000+ | CNY2.910 (CNY3.2883) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY10.99 (CNY12.42 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF640NPBF
库存编号8648379
也称为SP001570078
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续18A
漏源接通状态电阻0.15ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散150W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IRF640NPBF是一款200V单N沟道HEXFET功率MOSFET, TO-220AB封装。此MOSFET具有极低的单位面积导通电, 额定动态dv/dt, 耐用的快速开关以及全雪崩额定, 功率MOSFET提供极高的效率和稳定性, 用于多种应用。
- 漏极至源极电压: 200V
- 栅极-源极电压: ±20V
- 导通电阻Rds (on)为150mohm
- 25°C, 功耗Pd: 150W
- Vgs 10V, 25°C, 连续漏电流Id: 18A
- 工作结温范围: -55°C至175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
18A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.15ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
技术文档 (1)
IRF640NPBF 的替代之选
找到 1 件产品
相关产品
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002041