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IRFR9120NTRPBF
功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 10+ | CNY7.440 (CNY8.4072) |
| 100+ | CNY4.620 (CNY5.2206) |
| 500+ | CNY3.920 (CNY4.4296) |
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产品概述
IRFR9120NTRPBF是HEXFET®第五代单P沟道功率MOSFET，利用先进的加工技术实现了单位硅面积的极低导通电阻。这一优点与快速的开关速度和坚固的器件设计相结合，提供了一个极其有效的器件和可靠的操作。它是为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面安装而设计的。在典型的表面安装应用中，功率耗散水平可以达到1.5W。
- 先进的工艺技术
- 完全雪崩认证
- 低静态漏-源导通电阻
- 动态dV/dt额定值
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
6.6A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
40W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.48ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
IRFR9120NTRPBF 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000585