您已在下面突出显示的字段中输入包含无效字符的值。 请仅使用有效字符修改您的选择。

产品可能与您的搜索条件并不完全匹配

您买过此产品。 在订单历史记录中查看

 
 

IXZ308N120

晶体管, 射频FET, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375

IXYS RF IXZ308N120

图片仅用于图解说明,详见产品说明。

制造商:
IXYS RF IXYS RF
制造商产品编号:
IXZ308N120
库存编号
1347739
技术数据表:
IXZ308N120   Datasheet
查看所有技术文档

产品概述

The IXZ308N120 is a 1200V N-channel Enhancement Mode RF Power MOSFET with low RDS (on) ideal for laser driver, induction heating, switch mode power supplies and switching industrial applications.
  • High isolation voltage
  • Excellent thermal transfer
  • Increased temperature and power cycling capability
  • IXYS advanced low Qg process
  • Low gate charge and capacitances offer easier to drive and faster switching
  • Very low insertion inductance
  • No beryllium oxide (BeO) or other hazardous materials
  • Easy to mount, no insulators needed
  • High power density

应用

HVAC, 电源管理, 工业

警告

该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.

产品信息

想要查看类似产品?只需在下方选择所需属性并点击按钮 ×


:
1.2kV

:
8A

:
880W

:
-

:
-

:
DE-375

:
6引脚

:
175°C

:
-

:
-
查找类似产品 选择并修改以上属性即可查找类似产品。

技术文档 (2)

已停产

CNY347.77 ( CNY392.98  含增值税)

定价不可用。 请联系客户服务

包装规格:
每个
多件: 1 最低: 1
数量 单价(含增值税) 您所支付金额(含增值税)
 
 
1+ CNY347.77 (CNY392.98)
优惠价格
合约价格
仅限网络价格
仅限网络合约价格
  ( )
5+ CNY339.99 (CNY384.19)
优惠价格
合约价格
仅限网络价格
仅限网络合约价格
  ( )
 
 

定价不可用。 请联系客户服务

No longer stocked:: No Longer Manufactured::
添加到购物篮 延期发货 预订
添加
受限制物品
添加部件编号/注释行
总价:
总价: ( )
总价: --