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PBSS4160DPN,115
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 1 A, 1 A, 700 mW
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PBSS4160DPN,115
库存编号1757959RL
技术数据表
晶体管极性NPN, PNP
最大集电极发射电压60V
集电极发射极电压最大值NPN60V
连续集电极电流1A
集电极发射极电压最大值 PNP60V
功率耗散420mW
连续集电极电流NPN1A
连续集电极电流NPN1A
耗散功率NPN700mW
耗散功率PNP700mW
直流电流增益hFE最小值NPN100hFE
直流电流增益, Hfe 最小值500hFE
直流电流增益hFE最小值PNP100hFE
晶体管封装类型SOT-457
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN220MHz
转换频率NPN185MHz
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The PBSS4160DPN,115 is a NPN-PNP BISS Transistor encapsulated in surface-mount plastic package. It offers low collector to emitter saturation voltage and high collector current capability. It is designed for use with complementary MOSFET driver, half and full bridge motor drivers and dual low power switches (e.g. motors, fans) applications.
- High collector current gain at high IC
- High efficiency due to less heat generation
- Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
技术规格
晶体管极性
NPN, PNP
集电极发射极电压最大值NPN
60V
集电极发射极电压最大值 PNP
60V
连续集电极电流NPN
1A
耗散功率NPN
700mW
直流电流增益hFE最小值NPN
100hFE
直流电流增益hFE最小值PNP
100hFE
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
185MHz
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
最大集电极发射电压
60V
连续集电极电流
1A
功率耗散
420mW
连续集电极电流NPN
1A
耗散功率PNP
700mW
直流电流增益, Hfe 最小值
500hFE
晶体管封装类型
SOT-457
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
220MHz
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
PBSS4160DPN,115 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006