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PBSS9110X,135
单晶体管 双极, PNP, 100 V, 1 A, 550 mW, SOT-89, 表面安装
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| 250+ | CNY2.780 (CNY3.1414) |
| 1000+ | CNY1.960 (CNY2.2148) |
| 2000+ | CNY1.920 (CNY2.1696) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PBSS9110X,135
库存编号1757971
技术数据表
晶体管极性PNP
最大集电极发射电压100V
连续集电极电流1A
功率耗散550mW
晶体管封装类型SOT-89
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率100MHz
直流电流增益, Hfe 最小值150hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The PBSS9110X,135 is a 1A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor housed in a surface-mount plastic package. It offers collector pad for good heat transfer.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High efficiency leading to less heat generation
- NPN complement is PBSS8110X
- 4C Marking code
技术规格
晶体管极性
PNP
连续集电极电流
1A
晶体管封装类型
SOT-89
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
150hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
100V
功率耗散
550mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
100MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Hong Kong
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Hong Kong
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000083