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NTR1P02LT3G
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 1.3 A, 0.22 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 500+ | CNY0.747 (CNY0.8441) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTR1P02LT3G
库存编号2533199
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续1.3A
漏源接通状态电阻0.22ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散400mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
NTR1P02LT3G 是一款 P 沟道、-20V、-1.3A、0.14ohm 功率 MOSFET。这种微型表面贴装 MOSFET 的 RDS（导通）很低，可确保将功率损耗降至最低并节约能源，因此非常适合用于空间敏感型电源管理电路。典型应用是直流-直流转换器以及便携式和电池供电产品（如电脑、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话）的电源管理。
- 低RDS (ON), 提高效率, 并延长电池寿命
- 漏极至源极击穿电压最低为 -20V
- 在 (VDS = -16V、VGS = 0V) 时，零栅极电压漏极电流为 -1µA
- 栅极阈值电压为-1.25V
- VDS = -5V 时的输入电容为 225pF
- 7/18ns 接通/断开延迟时间，15/9ns 上升/下降时间（VGS=-4.5V，VDD=-5V，ID=-1A，RL=5 ohm，RG=6 ohm）
- 结至环境的热阻 (RJA) 为 300°C/W
- TA = 25°C 时的总功耗为 400mW
- 3 引脚 SOT-23 封装，节省电路板空间
- 工作和存储温度（TJ、Tstg）范围为 - 55 至 150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
1.3A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
400mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.22ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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产品合规证书
重量（千克）：.000635