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EFC8811R-TF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A, 0.0023 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY3.900 (CNY4.407) |
| 500+ | CNY3.760 (CNY4.2488) |
| 5000+ | CNY3.620 (CNY4.0906) |
| 15000+ | CNY3.470 (CNY3.9211) |
| 40000+ | CNY3.330 (CNY3.7629) |
| 75000+ | CNY3.190 (CNY3.6047) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号EFC8811R-TF
库存编号2706277RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds12V
漏源电压Vds N沟道12V
电流, Id 连续27A
漏源电压Vds P沟道12V
连续漏极电流 Id N沟道27A
在电阻RDS（上）0.0023ohm
连续漏极电流 Id P沟道27A
漏源通态电阻N沟道0.0023ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.0023ohm
晶体管封装类型CSP
阈值栅源电压最大值1.3V
针脚数6引脚
功耗 Pd2.5W
耗散功率N沟道2.5W
耗散功率P沟道2.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (14-Jun-2023)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
12V
电流, Id 连续
27A
连续漏极电流 Id N沟道
27A
连续漏极电流 Id P沟道
27A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.0023ohm
阈值栅源电压最大值
1.3V
功耗 Pd
2.5W
耗散功率P沟道
2.5W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (14-Jun-2023)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
12V
漏源电压Vds P沟道
12V
在电阻RDS（上）
0.0023ohm
漏源通态电阻N沟道
0.0023ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
CSP
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001