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SCS220AGC
二极管, 碳化硅肖特基, 屏障, 650V系列, 单, 650 V, 20 A, 31 nC, TO-220AC
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The SCS220AGC is a SiC epitaxial planer Schottky Barrier Diode features switching loss reduced, enabling high-speed switching and reduced temperature dependence. In addition, unlike Si-based fast recovery diodes where the trr increases along with temperature. The silicon carbide (SiC) devices maintain constant characteristics, resulting in better performance.
- Shorter recovery time
- 76A Repetitive peak forward current
- 130W Total power dissipation
- 600VDC Blocking voltage
应用
HVAC, 电机驱动与控制, 电源管理
产品信息
技术文档 (3)
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|---|---|---|
| 1+ | CNY58.24 (CNY65.81) | ( ) |
| 10+ | CNY51.15 (CNY57.80) | ( ) |
| 100+ | CNY42.39 (CNY47.90) | ( ) |
| 250+ | CNY39.92 (CNY45.11) | ( ) |
| 500+ | CNY37.38 (CNY42.24) | ( ) |
| 1000+ | CNY34.20 (CNY38.65) | ( ) |
| 2000+ | CNY33.11 (CNY37.41) | ( ) |
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