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STH200N10WF7-2
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY39.910 (CNY45.0983) |
| 10+ | CNY30.310 (CNY34.2503) |
| 100+ | CNY24.600 (CNY27.798) |
| 500+ | CNY24.300 (CNY27.459) |
| 1000+ | CNY24.000 (CNY27.120) |
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最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商产品编号STH200N10WF7-2
库存编号3879174
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续180A
漏源接通状态电阻3200µohm
晶体管封装类型H2PAK
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散340W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围STripFET F7 Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
180A
晶体管封装类型
H2PAK
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
340W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
3200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
STripFET F7 Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000007