东芝推出了适用于工业和绿色能源应用的第三代碳化硅 (SiC) 650V 和 1200V MOSFET,效率更高,体积更小

650V 碳化硅 (SiC) MOSFET

这些高效的多功能产品将用于各种苛刻的应用,包括服务器、数据中心和通信设备的开关模式电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS)。

它们还适用于可再生能源领域的应用,包括光伏 (PV) 逆变器和双向直流-直流转换器,如用于电动汽车 (EV) 充电的那些产品。

新的 TW015N65C、TW027N65C、TW048N65C、TW083N65C 和 TW107N65C 基于东芝先进的第三代 SiC 工艺,优化了第二代设备中使用的晶胞结构。

由于这一进步,等于表示静态和动态损失的漏极-源极导通电阻 (RDSDS(on)) 和栅极-漏极电荷 (Qg) 乘积的品质因数 (FoM) 改进了约 80%。这大大减少了损耗,并支持开发具有更高功率密度和更低运行成本的电力解决方案。

与早期设备一样,新的第三代 MOSFET 包括一个内置 SiC 肖特基势垒,具有 -1.35V(典型)的低正向电压 (VF),以抑制 RDS(on) 的波动,从而提高可靠性。

新设备能够处理高达 100A 的电流 (ID),RDS(on) 值低至 15mΩ。所有设备都采用了工业标准 TO-247 封装。

1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET

1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET 利用该公司的第三代 SiC 技术,提高高压工业应用的能源效率。

它们应用于电动汽车充电站、光伏逆变器、工业电源、不间断电源 (UPS)、双向或半桥直流-直流变换器等设备中。

东芝最新的 SiC 技术将等于导通电阻 x 栅极-漏极电荷 (RDS(on) x QGD) 乘积的品质因数提高 80% 以上,改进了功率转换拓扑中的导通和开关性能。

此外,新设备包含创新的嵌入式肖特基势垒二极管 (SBD),该技术已在上一代中得到了验证。嵌入式 SBD 消除了内部寄生效应,提高了 SiC MOSFET 的可靠性,以维持稳定的设备 RDS(on)

此外,该产品具有从 -10V 到 25V 的最大栅极-源极电压范围,增强了在各种电路设计和应用条件下操作的灵活性。栅极-阈值电压 (VGS(th)) 范围为 3.0V 到 5.0V,可确保获得最小漂移的可预测开关性能,并允许简单的栅极驱动器设计。

第三代 SiC MOSFET 目前包括 TW015N120C、TW030N120C、TW045N120C、TW060N120C 和 TW140N120C。这些设备的 RDS(on) 值为 15mΩ 到 140mΩ(一般情况下,VGS = 18V),漏极电流额定值为 20A 到 100A(TC=25°C 下为直流)。

所有设备都采用标准的 TO-247 电源包,已全面投入生产,可随时向分销商订购。

650V 碳化硅 (SiC) MOSFET 电气特性

TW015N65C
特性符号状态价值装置
漏极-源极导通电阻(最大)RDS(ON)|VGS|=18V21
输入电容(典型)Ciss-4850pF
TW027N65C
特性符号状态价值装置
漏极-源极导通电阻(最大)RDS(ON)|VGS|=18V37
输入电容(典型)Ciss-2288pF
TW048N65C
特性符号状态价值装置
漏极-源极导通电阻(最大)RDS(ON)|VGS|=18V65
输入电容(典型)Ciss-1362pF
TW083N65C
特性符号状态价值装置
漏极-源极导通电阻(最大)RDS(ON)|VGS|=18V113
输入电容(典型)Ciss-873pF
TW107N65C
特性符号状态价值装置
漏极-源极导通电阻(最大)RDS(ON)|VGS|=18V145
输入电容(典型)Ciss-600pF

1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET 电气特性

TW015N120C
特性符号状态价值装置
漏极-源极导通电阻(最大)RDS(ON)|VGS|=18V20
输入电容(典型)Ciss-6000pF
TW030N120C
特性符号状态价值装置
漏极-源极导通电阻(最大)RDS(ON)|VGS|=18V40
输入电容(典型)Ciss-2925pF
TW045N120C
特性符号状态价值装置
漏极-源极导通电阻(最大)RDS(ON)|VGS|=18V59
输入电容(典型)Ciss-1969pF
TW060N120C
特性符号状态价值装置
漏极-源极导通电阻(最大)RDS(ON)|VGS|=18V78
输入电容(典型)Ciss-1530pF
TW140N120C
特性符号状态价值装置
漏极-源极导通电阻(最大)RDS(ON)|VGS|=18V182
输入电容(典型)Ciss-691pF

650V 碳化硅 (SiC) MOSFET

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1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET

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