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GT50J325

单晶体管, IGBT, 50 A, 2.45 V, 240 W, 600 V, TO-3P, 3 引脚

TOSHIBA GT50J325

图片仅用于图解说明,详见产品说明。

制造商:
TOSHIBA TOSHIBA
制造商产品编号:
GT50J325
库存编号
1300816
技术数据表:
GT50J325   Datasheet
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产品概述

The GT50J325 from Toshiba is a N channel silicon insulated gate bipolar transistor in through hole TO-3P package. IGBT typically used at fast switching and high power switching applications.
  • Fourth generation IGBT
  • Enhancement mode type
  • Fast switching
  • Operating frequency up to 50KHz
  • Maximum collector emitter saturation voltage of 2.45V
  • FRD included between emitter and collector
  • Collector emitter voltage VCES of 600V
  • DC collector current of 50A
  • Junction temperature of 150°C
  • Collector power dissipation of 240W

应用

电源管理, 消费电子产品, 便携式器材, 工业

产品信息

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50A

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2.45V

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240W

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600V

:
TO-3P

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3引脚

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150°C

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