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SI2333DS-T1-E3
场效应管, MOSFET, P沟道, -12V, 4.1A TO-236, 整卷
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI2333DS-T1-E3
库存编号2371205
技术数据表
通道类型P Channel
电流, Id 连续4.1A
漏源接通状态电阻0.032ohm
晶体管安装Surface Mount
功率耗散1.25W
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 - Unlimited
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
P Channel
漏源接通状态电阻
0.032ohm
功率耗散
1.25W
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
电流, Id 连续
4.1A
晶体管安装
Surface Mount
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000043