
关注以太网供电
Infineon 更节能的电源解决方案
借助 Infineon 先进的 PoE 电源解决方案,最大限度地提高以太网供电 (PoE) 应用的效率和可靠性
该先进技术能够帮助您设计既节省空间又节能的电源,即使面对的是要求最苛刻的 PSE 应用。
随着技术的进步和新 PoE 行业标准(如 IEEE 802.3bt)的出台,现在可以通过以太网供电提供高达 100W 的功率,但在为 PoE 供电设备 (PSE) 设计主电源时会遇到一个独特的挑战。 为了应对这些挑战,Infineon 的谐振 SMPS 拓扑结合高效的高功率 MOSFET,可在保持系统尺寸不变的情况下增加每个 PoE 端口的可用功率预算。
以太网供电的优势
通过单根双绞线以太网电缆传输数据和实现连接,省去了传统的交流电源线。除此之外,PoE 最大的一个优点是允许集中管理电源。 在传统的电力系统中,每个设备都有自己的电源,即使设备不使用,也会消耗能源。 但有了 PoE,所有设备都可由单个中央电源供电,在不使用时可以关闭或管理电源,从而减少能源浪费。
鉴于 PoE 的集中机制,还可以远程管理电源。 这意味着可以远程打开或关闭设备的电源,并且可以从一个位置(例如楼宇管理系统)监控和集中管理它们的能耗。 这不仅提高了能源利用率,还为楼宇的电力供应提供了更多的控制性和灵活性。
PoE还 提供更可靠、更安全的供电。 传统的电力系统经常容易出现交流电网的断电和浪涌,这可能会损坏设备并影响其性能。 PoE 集中供电,结合使用不间断电源 (UPS),为连接的设备(例如监控摄像机)提供更稳定的电源。
符合 IEEE 802.3bt 标准的 PoE PSE 的典型需求概述如下:
- 每增加一个端口,输出功率就会增加。具体来说,最高可在 PoE 功率预算的基础上增加 100W 的功率
- 多级 SMPS 设计,具有 PFC、DC-DC 主级、整流和 OR-ing(如果需要)
- 增加功率密度,即使增加输出功率,也能保持现有的外形尺寸不变
- 主电源宽负载条件、高效率
- 对于 PoE PSE 端口 MOSFET,通过低 RDS(on) 实现高效率,通过宽安全操作区域 (SOA) 实现可靠性

Infineon OptiMOS™5、OptiMOS™ 6 和 coolMOS™ P7 系列的设计优势
由于最新的 IEEE 802.3bt 标准提高了每个端口的功率水平,PoE PSE 应用主电源的功率水平也必须提高。 根据典型系统电压的不同,在 PSE 的 PoE 电源中组合多个功率级时,使用额定电压在 40 V 到 100 V 之间的 MOSFET 提供 Or-ing 功能。然而,为在 Or-ing 级之前的电源次级侧进行同步整流,由于 PoE 典型电压为 44 V 至 57 V,因此 80 V 和 100 V 的 OptiMOS™ 6 MOSFET 通常被认为可在保持最高系统效率的同时具有可靠性。
在主端,超结 MOSFET(如 Infineon 的 CoolMOS™ 系列)在将交流电压转换为直流电压方面具有高鲁棒性和可靠性,可实现最高效率和卓越性能。600 V CoolMOS™ P7 SJ MOSFET 产品系列由于 QG 和 EOSS 水平显著降低,并且优化了 RDS(on),能够提供最高的效率和更高的功率密度,因此是 PoE PSE 应用的理想选择。
精心挑选的集成栅极电阻器可实现非常低的振铃趋势,并且它在硬换向方面具有卓越的体二极管鲁棒性,因此适用于硬开关拓扑,如 LLC。此外,优异的 ESD 能力有助于提高制造质量。 600 V CoolMOS™ P7 提供广泛的 RDS(on) 封装组合,包括 THD 和 SMD 器件,RDS(on) 粒度从 24 mΩ 到 600 mΩ,在所有 600 V CoolMOS™ 产品中拥有最具竞争力的性价比。
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ISZ113N10NM5LF 可防止涌流浪涌和短路,提供更高的保护和系统可靠性
ISZ113N10NM5LF 的特点
- 宽安全操作区域 (SOA)
- 最大 RDS(on) 电阻 11.3 mΩ
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- N 沟道 MOSFET
- 典型的 3.1 V 门阈值电压(正常电平)
- 根据 JEDEC,完全适用于工业应用
- 100% 经过雪崩测试
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