Microchip SiC 带来的强大可能性

Microchip 的碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 产品线提高了硅 MOSFET 和硅 IGBT 解决方案的性能，同时降低了高压应用的总拥有成本。

Microchip 的 SiC 解决方案专注于高性能，帮助最大限度地提高系统效率和减少系统重量与尺寸。Microchip 的 SiC 可靠性久经验证，也确保了终端设备在使用寿命内不会出现性能下降。

描述

• MOSFET，N-CH，1.2KV，103A，TO-247
• MOSFET，N-CH，1.2KV，103A，TO-247
• MOSFET，N-CH，1.2KV，37A，TO-247
• MOSFET，N-CH，1.2KV，37A，TO-247
• MOSFET，N-CH，1.2KV，66A，TO-247
• MOSFET，N-CH，1.7KV，68A，TO-247
• MOSFET，N-CH，1.7KV，68A，TO-247
• MOSFET，N-CH，1.7KV，7A，TO-247
• MOSFET，N-CH，3.3KV，11A，TO-247
• MOSFET，N-CH，3.3KV，41A，TO-247
• MOSFET，N-CH，700V，140A，TO-247
• MOSFET，N-CH，700V，28A，TO-247
• MOSFET，N-CH，700V，39A，TO-247
• MOSFET，N-CH，700V，77A，TO-247

产品特性

• 低电容和低栅极电荷
• 由于内部栅极电阻 (ESR) 低，因此开关速度快
• 可在 175 摄氏度的高结温下稳定运行
• 快速且可靠的体二极管
• 超强的抗雪崩坚固性
• 符合 RoHS

Microchip 的碳化硅 (SiC) 功率肖特基势垒二极管 (SBD) 产品线提高了硅二极管解决方案的性能，同时降低了高压应用的总拥有成本。

描述

• SIC 肖特基二极管，1.2KV，10A，TO-220
• SIC 肖特基二极管，1.2KV，10A，TO-247
• SIC 肖特基二极管，1.2KV，15A，TO-247
• SIC 肖特基二极管，1.2KV，20A，TO-220
• SIC 肖特基二极管，1.2KV，20A，TO-247
• SIC 肖特基二极管，1.2KV，30A，TO-220
• SIC 肖特基二极管，1.2KV，30A，TO-247
• SIC 肖特基二极管，1.2KV，30A，TO-247
• SIC 肖特基二极管，1.7KV，10A，TO-247
• SIC 肖特基二极管，1.7KV，30A，TO-247
• SIC 肖特基二极管，1.7KV，50A，TO-247
• SIC 肖特基二极管，3.3KV，184A，T-MAX
• SIC 肖特基二极管，3.3KV，62A，TO-247
• SIC 肖特基二极管，700V，10A，TO-220
• SIC 肖特基二极管，700V，30A，TO-247

可以将高压 ASDAK-2ASC-12A1HP-62-DK Augmented Switching 加速开发套件与 1200V SiC MOSFET 模块配合使用。这项技术充分利用了我们 700V 和 1200V 碳化硅 (SiC) 技术的优势，包括快速优化碳化硅 (SiC) 模块和系统性能所需的硬件和软件元素。

通过此新工具，设计人员能够使用 AgileSwitch® 智能配置工具 (ICT) 和设备编程器通过软件设置调整系统性能。无需焊接。

ICT 提供不同驱动器参数的配置，包括开/关栅极电压、直流链路和温度故障级别，以及 Augmented Switching 配置文件。

对 Augmented Switching 配置文件的微小更改可以在开关效率、过冲、振铃和短路保护方面产生显著改进。

应用

• 电动汽车 (EV)
• 混合电动车 (HEV)
• DC 智能电网
• 工业
• 充电站

产品特性

• 与 1200V SiC MOSFET 模块兼容
• 包含智能配置工具 (ICT)

套件包含

• 3x 2ASC-12A1HP - 1200V 内核
• 1x 62CA1 - 1200V 62mm 模块适配器
• 1x ASBK-007 设备编程器套件
• 1x ICT 软件