650 V GaN FET – 从发明到投产
概述
e络盟与分立式器件、MOSFET 器件及模拟和逻辑 IC 领域的专家 Nexperia 合作，推出性能在业界领先的高效率 GaN FET。
高效用电是行业面临的主要挑战，也是创新的驱动力。社会压力和相关法律要求提高电力转换和控制的效率。对于某些应用，功率转换效率和功率密度是市场竞争的关键。主要例子包括汽车电气化以及高压通信和工业基础设施市场的发展趋势。GaN FET 可使系统更小、更快、更冷、更轻，同时降低系统总体成本。
为 IoT 基础设施提供动力
要满足我们的需求，提供始终在线的云端连接、处理能力和存储空间，需要消耗大量的电力。在工业自动化、数据中心和电信基础设施中，需要高效的高端电源来降低功率损耗。这就是 GaN-on-Si 提高密度和高效功率转换至关重要的原因所在。
动力系统的电气化
对当今的汽车而言，排放的每一克 CO₂ 都很重要，它推动着汽车迈向电气化。从混合动力车到全电动汽车，动力系统的电气化预计将主导未来 20 年电力半导体市场的增长。GaN-on-Si 的功率密度和效率将在该领域发挥主导作用，特别是用于车载充电器（电动汽车充电）、DC/DC 转换器和电机驱动牵引逆变器（xEV 牵引逆变器）。
产品
Nexperia 目前的 GAN FET 产品和开发路线图的重点是提供可靠的产品，以支持汽车和物联网基础设施应用。GaN 加工工艺基于我们强大的且经过验证的生产流程，造就了我们行业领先的电力 GaN FET。
特性和优势：
- 轻松栅极驱动、低 RDS(on)、快速切换
- 卓越的体二极管（低 Vf）、低 Qrr
- 坚固耐用
- 低动态 RDS(on)
- 平稳切换
- 稳定的栅极反弹免疫 (Vth ~ 4 V)
| GAN063-650WSA | GGAN041-650WSB | |
|---|---|---|
| VDS | 650 V | 650V |
| RDS(on) 最大值 | 60 mΩ | 41 mΩ |
| 封装 | TO-247 (SOT429) | TO-247 (SOT429) |
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面向未来而开发
MOSFET 和 GaN FET 应用手册
