提升电力应用

功率 MOSFET

工业级功率 MOSFET、汽车认证功率 MOSFET、小信号 MOSFET 以及专用 MOSFET（电压范围为 20V 至 100V）。采用铜夹片封装技术（LFPAK、CCPAK）和微型引线封装 (MLPAK)，提供卓越的开关性能和可靠性

IGBT

H 系列（高速）和 M 系列（电动机驱动）650V IGBT 分立器件展现出出色的耐用性与可靠性，同时可提升逆变器功率密度，适用于中高压工业领域

SiC 二极管

具有不受温度影响的电容关闭和零恢复开关特性，以及出色的品质因数(Qc x VF)。合并 PiN 肖特基二极管提高了稳健性，可耐受高 IFSM。

SiC MOSFET

提供出色的 RDSon 温度稳定性、快速开关速度和高短路耐受能力，适用于高功率和高电压工业应用。

增强型/共源共栅 GaN FET

低压增强型 GaN FET、650 V 增强型 GaN FET、双向 GaN FET 和 650 V 共源共栅 GaN FET。通过降低低功率或高功率转换应用中的传导和开关损耗来提高功率密度。

电源管理

通过快速增长的产品组合（包括交流/直流控制器集成电路、LED 驱动器集成电路、直流-直流转换器、电子保险丝、栅极驱动器、低压差线性稳压器、负载开关等），实现高系统效率与高可靠性。

隔离

数字隔离器和变压器驱动器对于高压应用中数字通信和电源的隔离至关重要。

功率整流器

可以提供高功率密度，同时还能带来最小的反向恢复时间和功率损耗，从而实现高效开关。采用经过汽车行业认证的铜夹片 CFP 封装，节省空间。