前瞻性思维推动
能源基础设施的发展
Onsemi 能源基础设施解决方案
Onsemi 利用数十年的创新技术经验以及可靠、高效且优质的下一代电源半导体，不仅缩短了开发时间，提高了功率密度，还压缩了功率损耗预算。 我们知道，您为打造更美好的世界做出了贡献，而我们可以帮助您和您的制造团队做得更好。
Onsemi 凭借丰富的经验和世界一流的制造技术，推出了 EliteSiC 产品，将优化的 SiC 解决方案深深融入到其 DNA 中。
1
高度优化的 SiC 产品
利用我们在 MOSFET 领域的领先地位，我们的 EliteSiC 产品组合进行了优化，在现实条件下实现了比竞争对手更小的开关损耗，能够满足能源基础设施终端应用的性能要求。
2
领先的电源模块和 SiC 技术
不断投资于增强的封装技术，实现高功率和高密度。
3
提供多种栅极驱动器组合
丰富的高驱动电流隔离栅极驱动器采用业界标准封装，具有广泛的安全功能，兼具集成和设计方面的灵活性。
4
质量
我们建立了基础设施，以确保 SiC 器件制造保持最高的质量水平。为了提供最高水平的质量，Onsemi 引入了以下过程：晶体缺陷的高水平监测、SiC MOSFET 的 100% 雪崩测试、老化以消除早期外部 SiC MOSFET 氧化物失效。
5
EliteSiC 电源模拟器工具
Onsemi 的新型 Elite 功率模拟器使电力电子工程师能够加快产品的上市速度。 工程师可借助该工具，深入了解使用 EliteSiC 系列产品的电路的工作方式，包括 EliteSiC 技术的制造极端情况。
视频
电池储能系统：助力未来
Onsemi 的差异化优势 - 碳化硅的可靠供应
Onsemi 提供能源基础设施的四种解决方案，包括电动汽车充电站、储能/不间断电源 (UPS) 和太阳能逆变器，包括：
1.EliteSiC MOSFET
2.EliteSiC 二极管
3.EliteSiC 驱动器
4.电源和 EliteSiC 混合模块
5.IBGT
6.电流隔离式栅极驱动器
7.检流放大器
8.电压和电流检测扩大器
9.电压调节器和 LDO
10.交流-直流、直流-直流调节器/转换器
单击以下选项卡以了解更多
EliteSiC MOSFET
| 产品名称 | 产品编号 | 描述 | 立即购买 |
|---|---|---|---|
| PFC 和 DCDC | |||
| NTBG080N120SC1 | 碳化硅 MOSFET，N 通道，1200 V，80 mΩ，D2PAK−7L | 立即购买 | |
| NVBG020N090SC1 | 碳化硅 MOSFET，N 通道，900V，20 mΩ，D2PAK−7L | 立即购买 | |
| NTBG015N065SC1 | 碳化硅 MOSFET，N 通道，650V，15.3 mΩ，D2PAK−7L | 立即购买 | |
| NTBG045N065SC1 | 碳化硅 MOSFET，N 通道，650V，43.5 mΩ，D2PAK−7L | 立即购买 | |
| NTH4L022N120M3S | 碳化硅 MOSFET，N 通道，1200V，22 mΩ，TO247-4LD | 立即购买 | |
| 辅助电源 | NTH4L160N120SC1 | 碳化硅 MOSFET，N 通道，1200 V，160 mΩ，TO247−4L | 立即购买 |
| NTHL160N120SC1 | 碳化硅 MOSFET，N 通道，1200 V，160 mΩ，TO247−3L | 立即购买 |
EliteSiC 二极管
| 产品名称 | 产品编号 | 描述 | 立即购买 |
|---|---|---|---|
| PFC 和 DCDC | |||
| FFSH30120A | SiC 二级管，1200V，30A，TO-247-2，肖特基二极管 | 立即购买 | |
| FFSH3065B | 碳化硅肖特基二极管 650V 30A TO247 | 立即购买 | |
| FFSH40120A | SiC 肖特基二极管，1200 V，40 A | 立即购买 |
EliteSiC 驱动器
| 产品名称 | 产品编号 | 描述 | 立即购买 |
|---|---|---|---|
| PFC 和 DCDC | |||
| FFSH30120A | SiC 二级管，1200V，30A，TO-247-2，肖特基二极管 | 立即购买 | |
| FFSH3065B | 碳化硅肖特基二极管 650V 30A TO247 | 立即购买 | |
| FFSH40120A | SiC 肖特基二极管，1200 V，40 A | 立即购买 |
电源和 EliteSiC 混合模块
| 产品名称 | 产品编号 | 描述 | 立即购买 |
|---|---|---|---|
| PFC 和 DCDC | NXH006P120MNF2 | SiC 模块，半桥 2 包式 1200 V，6 mohm SiC MOSFET，F2 封装 | 立即购买 |
绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
| 产品名称 | 产品编号 | 描述 | 立即购买 |
|---|---|---|---|
| PFC 和 DCDC | FGHL75T65MQD | IGBT - 650 V 75 A FS4 中速开关 IGBT | 立即购买 |
电流隔离式栅极驱动器
| 产品名称 | 产品编号 | 描述 | 立即购买 |
|---|---|---|---|
| 栅极驱动器 | NCP51705 NCV51705 | SiC MOSFET 驱动器，低压侧，单 6 A 高速 | 立即购买 |
| NCD57000 NCD57001 NCV57000 NCV57001 | 具有内部电流隔离的隔离大电流、高效率 IGBT 栅极驱动器 | 立即购买 | |
| NCD57080A NCD57090A NCV57080A NCV57090A | 隔离大电流栅极驱动器 | 立即购买 | |
| NCD57252 NCV57252 | 隔离双通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器 | 立即购买 | |
| NCP51561 NCV51561 | 隔离 5 kV 高速双 MOS/SiC 驱动器 | 立即购买 |
检流放大器
| 产品名称 | 产品编号 | 描述 | 立即购买 |
|---|---|---|---|
| 电流感应 | NCS214R | 电流检测放大器，26V，低压侧/高压侧电压输出，双向电流分流监测器 | 立即购买 |
| NCS211R | 电流检测放大器，26V，低压侧/高压侧电压输出，双向电流分流监测器 | 立即购买 |
扩大器：
电压和电流检测
电压调节和 LDO
| 产品名称 | 产品编号 | 描述 | 立即购买 |
|---|---|---|---|
| 电源管理 LDO | NCP164 | 300mA LDO 调节器，超低噪声，带有电源良好的高 PSRR | 立即购买 |
| NCP715 | LDO 调节器，50 mA，超低 Iq | 立即购买 | |
| NCP730 | LDO 调节器，150 mA，38 V，1 uA IQ，带有 PG | 立即购买 |
交流-直流、直流-直流调节器/转换器
| 产品名称 | 产品编号 | 描述 | 立即购买 |
|---|---|---|---|
| 直流-直流 交流/直流、直流/直流调节器/转换器 | NCP4390、FAN7688 | 高级次级侧 LLC 谐振转换器控制器，具有同步整流控制功能 | 立即购买 |
| NCP3064 | 升压/降压/反相转换器，开关稳压器，1.5 A，带开关功能 | 立即购买 | |
| NCP3237 | 8 A 集成同步降压调节器 | 立即购买 | |
| 辅助电源 直流/直流转换器 | FAN6500、NCP3237、FAN49100、FAN49103、FAN53555、FAN5903、FAN5910、FAN48610、FAN53880、FFAN53870、FAN53840、NCP5252、NCP3064、FAN53610 | 同步降压、升压、降压/升压调节器和 PMIC | 立即购买 |
| 辅助电源 交流/直流 - 直流/直流调节器 | |||
| FSL336 | 650V 集成电源开关，带误差放大器，无偏置绕组，适用于 9 瓦离线降压转换器 | 立即购买 | |
| FSL518A、FSL518H | 高性能 800 V 离线开关，带有 HV Startup 和 SenseFET | 立即购买 | |
| FSL538A、FSL538H | 高性能 800 V 离线开关，带有 HV Startup 和 SenseFET | 立即购买 | |
| NCP11187 | 50 W 800V 离线开关，带有 HV Startup | 立即购买 | |
EliteSiC MOSFET
UPS
| 产品名称 | 产品编号 | 描述 | 立即购买 |
|---|---|---|---|
| 直流/交流 | NTBG020N090SC1 | 碳化硅 MOSFET，N 通道，900V，20 mΩ，D2PAK−7L | 立即购买 |
| NTBG015N065SC1 | 碳化硅 MOSFET，N 通道，650V，15.3 mΩ，D2PAK−7L | 立即购买 | |
| NTH4L020N120SC1 | 碳化硅 MOSFET，N 通道，1200 V，20 mΩ，TO247−4L | 立即购买 | |
| NVBG020N090SC1 | 碳化硅 MOSFET，N 通道，900V，20 mΩ，D2PAK−7L | 立即购买 |
EliteSiC 二极管
电源和 EliteSiC 混合模块
| 产品名称 | 产品编号 | 描述 | 立即购买 |
|---|---|---|---|
| 直流/交流 | NXH100B120H3Q0 | 电源集成模块，双升压，1200 V，50 A IGBT + 1200 V，20 A SiC 二极管。 | 立即购买 |
| NXH40B120MNQ1 | 全 SiC MOSFET 模块，三通道全 SiC 升压，1200 V，40 mohm SiC MOSFET + 1200 V，40 A SiC 二极管 | 立即购买 | |
| NXH80B120MNQ0 | 全 SiC MOSFET 模块，双通道全 SiC 升压，1200 V，80 mohm SiC MOSFET + 1200 V，20 A SiC 二极管 | 立即购买 | |
| NXH450B100H4Q2F2 | Si/SiC 混合模块，3 通道对称升压 1000 V，150 A IGBT，1200 V，30 A SiC 二极管 | 立即购买 |
绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
| 产品名称 | 产品编号 | 描述 | 立即购买 |
|---|---|---|---|
| 650 V FS4 IGBT 直流/交流 | FGH40T65SQD-F155 | IGBT FS 4 | 立即购买 |
| NGTB25N120FL3 | IGBT，超场拦截 - 1200V 25A | 立即购买 | |
电流隔离式栅极驱动器
| 产品名称 | 产品编号 | 描述 | 立即购买 |
|---|---|---|---|
| 栅极驱动器 | NCP51705 NCV51705 | SiC MOSFET 驱动器，低压侧，单 6 A 高速 | 立即购买 |
| NCD57000 NCD57001 NCV57000 NCV57001 | 具有内部电流隔离的隔离大电流、高效率 IGBT 栅极驱动器 | 立即购买 | |
| NCD57080A NCD57090A NCV57080A NCV57090A | 隔离大电流栅极驱动器 | 立即购买 | |
| NCD57252 NCV57252 | 隔离双通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器 | 立即购买 | |
| NCP51561 NCV51561 | 隔离 5 kV 高速双 MOS/SiC 驱动器 | 立即购买 |
交流-直流、直流-直流调节器/转换器
EliteSiC MOSFET
UPS
| 产品名称 | 产品编号 | 描述 | 立即购买 |
|---|---|---|---|
| 直流/交流 | NTBG020N090SC1 | 碳化硅 MOSFET，N 通道，900V，20 mΩ，D2PAK−7L | 立即购买 |
| NTBG015N065SC1 | 碳化硅 MOSFET，N 通道，650V，15.3 mΩ，D2PAK−7L | 立即购买 | |
| NTH4L020N120SC1 | 碳化硅 MOSFET，N 通道，1200 V，20 mΩ，TO247−4L | 立即购买 | |
| NVBG020N090SC1 | 碳化硅 MOSFET，N 通道，900V，20 mΩ，D2PAK−7L | 立即购买 |
EliteSiC 二极管
电源和 EliteSiC 混合模块
| 产品名称 | 产品编号 | 描述 | 立即购买 |
|---|---|---|---|
| 直流/交流 | NXH100B120H3Q0 | 电源集成模块，双升压，1200 V，50 A IGBT + 1200 V，20 A 二极管。 | 立即购买 |
| NXH40B120MNQ1 | 全 SiC MOSFET 模块，三通道全 SiC 升压，1200 V，40 mohm SiC MOSFET + 1200 V，40 A SiC 二极管 | 立即购买 | |
| NXH80B120MNQ0 | 全 SiC MOSFET 模块，双通道全 SiC 升压，1200 V，80 mohm SiC MOSFET + 1200 V，20 A SiC 二极管 | 立即购买 | |
| NXH450B100H4Q2F2 | Si/SiC 混合模块，3 通道对称升压 1000 V，150 A IGBT，1200 V，30 A SiC 二极管 | 立即购买 |
电流隔离式栅极驱动器
