Wide Bandgap Onsemi™
Wide Bandgap 技术 – 赋能大趋势应用
碳化硅 (SiC) 和氮化镓（GaN 栅极驱动器）是下一代材料，用于制造高效电源转换和电动汽车产品
Onsemi 下一代宽带隙产品组合
宽带隙 (WBG) 材料未来有望进军汽车电气化、太阳能和风能、云计算、EV（电动汽车）充电、5G 通信等领域，为各类高性能应用提供动力。目前，Onsemi 正致力于开发通用标准，力图推进宽带隙 (WBG) 电力技术的采用。
宽带隙技术可提供卓越的性能
- 快速开关
- 功率损耗更低
- 功率密度更高
- 工作温度更高
符合设计需求
- 效率更高
- 紧凑型解决方案
- 重量更轻
- 系统成本降低
- 可靠性更高
应用
- 太阳能和风能
- 汽车电气化
- 电机驱动
- 云计算
- 电动汽车充电
- 5G 通讯
完整的产品组合
- 650V、900V 和 1200V SiC MOSFET
- 650V、1200V 和 1700V SiC 二极管
- SiC、GaN 和电流隔离式大电流栅极驱动器
- SiC 电源模块
- 带有 SiC Copack 二极管的汽车 IGBT
模块产品系列
SiC 模块包含 SiC MOSFET 和 SiC 二极管。升压模块用于太阳能逆变器的 DC-DC 级。此类模块使用额定电压为 1200 V 的 SiC MOSFET 和 SiC 二极管。
Si/SiC 混合模块包括 IGBT、硅二极管和 SiC 二极管。用于太阳能逆变器、储能系统和不间断电源的 DC-AC 级。
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驱动器产品系列
Onsemi 栅极驱动器产品组合包括 GaN 栅极驱动器、IGBT、FET、MOSFET、H 桥 MOSFET 和 SiC MOSFET 反相和同相驱动器，非常适合开关应用。 Onsemi 栅极驱动器性能优越，系统效率和可靠性都非常出色。
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GaN 产品系列
Onsemi 栅极驱动器产品组合性能优越，可以满足特定应用的要求，包括汽车电源、HEV/EV 牵引逆变器、EV 充电器、谐振转换器、半桥和全桥转换器、有源钳位反激式转换器、图腾柱等。
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