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MEMS MHz 振荡器

1 至 725 MHz，±10 至 ±50 ppm，-55 至 +125°C LVCMOS，差分，AEC-Q100，VCXO，I2C/SPI 可编程性，降低 EMI

MEMS 精密 MHz 超级 TCXO

±0.05 至 ±2.5 ppm，1 至 220 MHz，+105°C，可在恶劣条件下提供更好的动态性能，1 ppb/°C (dF/dT)

MEMS 32.768 kHz 振荡器

32.768 kHz，±3 至 75 ppm，1.2 mm2 CSP，XTAL 替换，不到 1 µA 的电源电流，驱动多个负载

MEMS 可编程 OCXO

±5 ~±8 ppb，1 ~ 60 MHz，+85℃，可在恶劣条件下提供更好的动态性能，40 ppt/℃ 频率斜率 (dF/dT)

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晶振与振荡器

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