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12A 碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY64.640 (CNY73.0432)5+ CNY61.500 (CNY69.495)10+ CNY58.360 (CNY65.9468)50+ CNY55.220 (CNY62.3986)100+ CNY52.080 (CNY58.8504)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 12A | 1.2kV | 0.5ohm | HiP247 | 3引脚 | 20V | 3.5V | 150W | 200°C | |||||
每个 | 1+ CNY62.370 (CNY70.4781)5+ CNY56.630 (CNY63.9919)10+ CNY50.890 (CNY57.5057)50+ CNY45.150 (CNY51.0195)100+ CNY39.410 (CNY44.5333)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 12A | 1.2kV | 0.5ohm | TO-247 | 3引脚 | 20V | 3.5V | 150W | 200°C | |||||
