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21A 碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY70.820 (CNY80.0266)5+ CNY65.900 (CNY74.467)10+ CNY60.980 (CNY68.9074)50+ CNY56.060 (CNY63.3478)100+ CNY51.140 (CNY57.7882)更多价格信息... | 合计:CNY70.82 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 21A | 650V | 0.12ohm | TO-247N | 3引脚 | 18V | 5.6V | 103W | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY81.010 (CNY91.5413)5+ CNY71.350 (CNY80.6255)10+ CNY61.680 (CNY69.6984)50+ CNY60.010 (CNY67.8113)100+ CNY58.330 (CNY65.9129)更多价格信息... | 合计:CNY81.01 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 21A | 650V | 0.12ohm | TO-263 (D2PAK) | 7引脚 | 18V | 5.6V | 100W | 175°C | |||||
