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21A 碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY69.440 (CNY78.4672)10+ CNY61.200 (CNY69.156)25+ CNY60.280 (CNY68.1164)50+ CNY58.460 (CNY66.0598)100+ CNY52.960 (CNY59.8448)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 21A | 650V | 0.12ohm | TO-263 (D2PAK) | 7引脚 | 18V | 5.6V | 100W | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY72.960 (CNY82.4448)5+ CNY68.180 (CNY77.0434)10+ CNY63.410 (CNY71.6533)50+ CNY58.630 (CNY66.2519)100+ CNY53.860 (CNY60.8618)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 21A | 650V | 0.12ohm | TO-247N | 3引脚 | 18V | 5.6V | 103W | 175°C | |||||
