LSIC1MO120 Series 碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY191.030 (CNY215.8639)5+ CNY174.720 (CNY197.4336)10+ CNY163.370 (CNY184.6081) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 70A | 1.2kV | 0.04ohm | TO-247 | 4引脚 | 20V | 2.7V | 357W | 175°C | LSIC1MO120 Series | |||||
每个 | 1+ CNY398.260 (CNY450.0338)5+ CNY348.480 (CNY393.7824)10+ CNY288.740 (CNY326.2762)50+ CNY258.870 (CNY292.5231) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 100A | 1.2kV | 0.025ohm | TO-247 | 4引脚 | 20V | 2.7V | 500W | 175°C | LSIC1MO120 Series | |||||
