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11A 单MOSFET:
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漏源电压, Vds
电流, Id 连续
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
晶体管安装
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
针脚数
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY33.660 (CNY38.0358)10+ CNY17.290 (CNY19.5377)100+ CNY15.770 (CNY17.8201)500+ CNY12.950 (CNY14.6335)1000+ CNY12.040 (CNY13.6052)更多价格信息... | 合计:CNY33.66 最少：1 / 多个：1 | P通道 | 200V | 11A | 0.5ohm | TO-263 (D2PAK) | 表面安装 | 10V | 4V | 125W | 3引脚 | 150°C | |||||
每个 | 1+ CNY36.700 (CNY41.471)10+ CNY33.000 (CNY37.290)100+ CNY25.200 (CNY28.476)250+ CNY22.100 (CNY24.973) | 合计:CNY36.70 最少：1 / 多个：1 | N通道 | 650V | 11A | 0.38ohm | TO-220F | 通孔 | 10V | 5V | 36W | 3引脚 | 150°C | |||||
