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12.6A 单MOSFET:
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漏源电压, Vds
电流, Id 连续
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晶体管封装类型
晶体管安装
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
针脚数
工作温度最高值
产品范围
合规
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY18.750 (CNY21.1875)10+ CNY12.120 (CNY13.6956)100+ CNY8.310 (CNY9.3903)500+ CNY6.610 (CNY7.4693)1000+ CNY6.090 (CNY6.8817)更多价格信息... | P通道 | 30V | 12.6A | 6700µohm | SOIC | 表面安装 | 10V | 1.5V | 1.79W | 8引脚 | 150°C | - | AEC-Q101 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.120 (CNY21.6056)10+ CNY12.350 (CNY13.9555)100+ CNY8.470 (CNY9.5711)500+ CNY6.260 (CNY7.0738)1000+ CNY6.140 (CNY6.9382)更多价格信息... | P通道 | 30V | 12.6A | 6300µohm | SOIC | 表面安装 | 10V | 1.5V | 1.79W | 8引脚 | 150°C | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY2.820 (CNY3.1866)50+ CNY2.320 (CNY2.6216)100+ CNY1.810 (CNY2.0453)500+ CNY1.370 (CNY1.5481)1000+ CNY1.230 (CNY1.3899) | P通道 | 30V | 12.6A | 0.019ohm | SOIC | 表面安装 | 10V | 2.2V | 4.8W | 8引脚 | 150°C | TrenchFET III | - | ||||||
