DRAM:
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包装
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| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY154.250 (CNY174.3025) | DDR3L | 2Gbit | - | - | 128M x 16位 | - | 800MHz | - | FBGA | 96引脚 | 1.35V | 表面安装 | - | -40°C | 95°C | - | ||||||
INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI | 每个 | 1+ CNY83.210 (CNY94.0273)5+ CNY42.020 (CNY47.4826)10+ CNY41.620 (CNY47.0306) | SDR | 256Mbit | - | - | 16M x 16位 | - | 166MHz | - | TSOP-II | 54引脚 | 3.3V | 表面安装 | - | -40°C | 85°C | - | |||||
每个 | 1+ CNY87.770 (CNY99.1801) | Mobile LPDDR | 512Mbit | - | - | 32M x 16位 | - | 200MHz | - | VFBGA | 60引脚 | 1.8V | 表面安装 | - | -40°C | 85°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY164.000 (CNY185.320) | Mobile LPDDR | 512Mbit | - | - | 16M x 32位 | - | 166MHz | - | VFBGA | 90引脚 | 1.8V | 表面安装 | - | -40°C | 85°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY397.520 (CNY449.1976) | 移动 LPDDR5 | 32Gbit | - | - | 512M x 64位 | - | 3.2GHz | - | TFBGA | 441引脚 | 1.05V | 表面安装 | - | -25°C | 85°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY256.870 (CNY290.2631) | SDRAM | 512Mbit | - | - | 32M x 16位 | - | 133MHz | - | TSOP-II | 54引脚 | 3.3V | 表面安装 | - | -40°C | 85°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY825.490 (CNY932.8037) | DDR3L | 8Gbit | - | - | 1G x 8位 | - | 933MHz | - | FBGA | 78引脚 | 1.35V | 表面安装 | - | -40°C | 95°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY61.020 (CNY68.9526) | SDRAM | 64Mbit | - | - | 4M x 16位 | - | 166MHz | - | FBGA | 54引脚 | 3.3V | 表面安装 | - | -40°C | 105°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY350.500 (CNY396.065) | DDR3 | 4Gbit | - | - | 256M x 16位 | - | 800MHz | - | FBGA | 96引脚 | 1.5V | 表面安装 | - | -40°C | 95°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY92.930 (CNY105.0109) | DDR1 | 256Mbit | - | - | 16M x 16位 | - | 200MHz | - | TSOP-II | 66引脚 | 2.5V | 表面安装 | - | -40°C | 85°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY104.370 (CNY117.9381) | DDR2 | 512Mbit | - | - | 64M x 8位 | - | 400MHz | - | FBGA | 60引脚 | 1.8V | 表面安装 | - | -40°C | 95°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY157.690 (CNY178.1897) | DDR3 | 2Gbit | - | - | 128M x 16位 | - | 800MHz | - | FBGA | 96引脚 | 1.35V | 表面安装 | - | -40°C | 95°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY52.180 (CNY58.9634) | SDRAM | 256Mbit | - | - | 16M x 16位 | - | 143MHz | - | TSOP-II | 54引脚 | 3.3V | 表面安装 | - | 0°C | 70°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY96.990 (CNY109.5987) | DDR3 | 1Gbit | - | - | 64M x 16位 | - | 800MHz | - | FBGA | 96引脚 | 1.35V | 表面安装 | - | -40°C | 95°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY258.830 (CNY292.4779) | SDRAM | 512Mbit | - | - | 32M x 16位 | - | 143MHz | - | FBGA | 54引脚 | 3.3V | 表面安装 | - | -40°C | 85°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY96.070 (CNY108.5591) | SDRAM | 256Mbit | - | - | 16M x 16位 | - | 166MHz | - | FBGA | 54引脚 | 3.3V | 表面安装 | - | -40°C | 105°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY825.490 (CNY932.8037) | DDR3L | 8Gbit | - | - | 512M x 16位 | - | 800MHz | - | FBGA | 96引脚 | 1.35V | 表面安装 | - | -40°C | 95°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY55.780 (CNY63.0314) | SDRAM | 64Mbit | - | - | 4M x 16位 | - | 166MHz | - | FBGA | 54引脚 | 3.3V | 表面安装 | - | -40°C | 85°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY57.970 (CNY65.5061) | SDRAM | 64Mbit | - | - | 2M x 32位 | - | 166MHz | - | TSOP-II | 86引脚 | 3.3V | 表面安装 | - | 0°C | 70°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY59.140 (CNY66.8282) | SDRAM | 64Mbit | - | - | 2M x 32位 | - | 143MHz | - | TFBGA | 90引脚 | 3.3V | 表面安装 | - | 0°C | 70°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY51.650 (CNY58.3645) | SDRAM | 128Mbit | - | - | 8M x 16位 | - | 166MHz | - | TSOP-II | 54引脚 | 3.3V | 表面安装 | - | -40°C | 85°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY70.310 (CNY79.4503) | SDRAM | 128Mbit | - | - | 4M x 32位 | - | 143MHz | - | TFBGA | 90引脚 | 3.3V | 表面安装 | - | 0°C | 70°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY98.180 (CNY110.9434) | DDR1 | 256Mbit | - | - | 16M x 16位 | - | 200MHz | - | TFBGA | 60引脚 | 2.5V | 表面安装 | - | 0°C | 70°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY739.140 (CNY835.2282) | DDR3L | 8Gbit | - | - | 512M x 16位 | - | 933MHz | - | FBGA | 96引脚 | 1.35V | 表面安装 | - | 0°C | 95°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY59.540 (CNY67.2802) | SDRAM | 256Mbit | - | - | 16M x 16位 | - | 166MHz | - | TSOP-II | 54引脚 | 3.3V | 表面安装 | - | -40°C | 85°C | - | ||||||









