非易失性SRAM(NVSRAM)

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DS1225AD-150IND+
DS1225AD-150IND+ - 非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8位, 150ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

2798717

非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8位, 150ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

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DS1225AD-70+
DS1225AD-70+ - 非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

2798718

非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

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DS1245AB-70IND+
DS1245AB-70IND+ - 非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-32

2909701

非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-32

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CY14B101NA-ZS25XI
CY14B101NA-ZS25XI - 非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 64K x 16位, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, TSOP-II-44

2772928

非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 64K x 16位, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, TSOP-II-44

CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES

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DS1270Y-70#
DS1270Y-70# - 存储器, NVSRAM, 16MB, 0 至 70度 C

3404541

存储器, NVSRAM, 16MB, 0 至 70度 C

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CY14V101QS-SE108XI
CY14V101QS-SE108XI - 非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 10ns读/写, QSPI, 2.7V至3.6V, SOIC-16

2749797

非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 10ns读/写, QSPI, 2.7V至3.6V, SOIC-16

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CY14B108N-BA25XI
CY14B108N-BA25XI - 非易失性SRAM (NVSRAM), 8Mbit, 512K x 16位, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, FBGA-48

2772934

非易失性SRAM (NVSRAM), 8Mbit, 512K x 16位, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, FBGA-48

CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES

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CY14B104NA-BA45XI
CY14B104NA-BA45XI - 非易失性SRAM (NVSRAM), 4Mbit, 256K x 16位, 45ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, FBGA-48

2772932

非易失性SRAM (NVSRAM), 4Mbit, 256K x 16位, 45ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, FBGA-48

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4Mbit 256K x 16位 45ns 45ns 2.7V 3.6V FBGA 48引脚 并行 -40°C 85°C
CY14B256LA-SZ25XIT
CY14B256LA-SZ25XIT - 非易失性SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8位, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, SOIC-32

2772937

非易失性SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8位, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, SOIC-32

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256Kbit 32K x 8位 25ns 25ns 2.7V 3.6V SOIC 32引脚 并行 -40°C 85°C
CY14B256LA-SP45XI
CY14B256LA-SP45XI - 存储器, NVSRAM, 256KB, -40 至 85度 C

3018606

存储器, NVSRAM, 256KB, -40 至 85度 C

CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES

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1+ CNY86.59 (CNY97.85) 10+ CNY80.20 (CNY90.63) 25+ CNY78.38 (CNY88.57) 50+ CNY77.96 (CNY88.09) 100+ CNY68.63 (CNY77.55) 250+ CNY65.23 (CNY73.71) 500+ CNY64.57 (CNY72.96) 1000+ CNY63.82 (CNY72.12) 更多价格信息...

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256Kbit 32K x 8位 45ns 45ns 2.7V 3.6V SSOP 48引脚 并行 -40°C 85°C
DS1225AB-70IND+
DS1225AB-70IND+ - 非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

2798716

非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS

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1+ CNY117.12 (CNY132.35) 10+ CNY108.39 (CNY122.48) 25+ CNY106.92 (CNY120.82) 50+ CNY105.58 (CNY119.31) 100+ CNY92.53 (CNY104.56) 250+ CNY88.56 (CNY100.07) 500+ CNY87.98 (CNY99.42) 1000+ CNY82.55 (CNY93.28) 更多价格信息...

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64Kbit 8K x 8位 70ns 70ns 4.75V 5.25V EDIP 28引脚 并行 -40°C 85°C
M48Z12-70PC1
M48Z12-70PC1 - 非易失性SRAM (NVSRAM), 16Kbit, 2K x 8bit, 200ns读/写, 字节宽, 4.5V至5.5V, DIP-24

2807112

非易失性SRAM (NVSRAM), 16Kbit, 2K x 8bit, 200ns读/写, 字节宽, 4.5V至5.5V, DIP-24

STMICROELECTRONICS

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1+ CNY57.66 (CNY65.16) 10+ CNY53.07 (CNY59.97) 25+ CNY51.97 (CNY58.73) 50+ CNY51.79 (CNY58.52) 100+ CNY50.54 (CNY57.11)

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16Kbit 2K x 8位 200ns 200ns 4.5V 5.5V DIP 24引脚 Bytewide 0°C 70°C
M48Z58Y-70MH1F
M48Z58Y-70MH1F - 存储器, NVSRAM, 64KB, 0 至 70度 C

3367275

存储器, NVSRAM, 64KB, 0 至 70度 C

STMICROELECTRONICS

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单件(切割供应)

复卷

1+ CNY68.21 (CNY77.08) 10+ CNY61.44 (CNY69.43) 25+ CNY55.54 (CNY62.76) 50+ CNY48.16 (CNY54.42)

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64Kbit 8K x 8位 70ns 70ns 4.5V 5.5V - 28引脚 并行 0°C 70°C
DS1225AB-70IND+
DS1225AB-70IND+ - 非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

279871604

非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

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1+ CNY111.27 (CNY125.74)

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64Kbit 8K x 8位 70ns 70ns 4.75V 5.25V EDIP 28引脚 并行 -40°C 85°C
DS1330YP-70+
DS1330YP-70+ - 非易失性SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8位, 70ns读/写, 并行, 4.5V至5.5V, PWRCP-34

2909711

非易失性SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8位, 70ns读/写, 并行, 4.5V至5.5V, PWRCP-34

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS

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1+ CNY118.87 (CNY134.32) 10+ CNY111.14 (CNY125.59) 25+ CNY108.52 (CNY122.63) 50+ CNY105.97 (CNY119.75) 100+ CNY93.90 (CNY106.11) 250+ CNY90.86 (CNY102.67) 500+ CNY88.17 (CNY99.63) 更多价格信息...

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256Kbit 32K x 8位 70ns 70ns 4.5V 5.5V PWRCP 34引脚 并行 0°C 70°C
CY14V101PS-SF108XI
CY14V101PS-SF108XI - 非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 10ns读/写, 串行SPI, 2.7V至3.6V, SOIC-16

2749796

非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 10ns读/写, 串行SPI, 2.7V至3.6V, SOIC-16

CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES

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1+ CNY95.76 (CNY108.21) 10+ CNY88.72 (CNY100.25) 25+ CNY87.48 (CNY98.85) 50+ CNY86.45 (CNY97.69) 100+ CNY75.75 (CNY85.60) 250+ CNY72.45 (CNY81.87) 500+ CNY71.96 (CNY81.31) 1000+ CNY70.92 (CNY80.14) 更多价格信息...

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1Mbit 128K x 8位 10ns 10ns 2.7V 3.6V SOIC 16引脚 串行SPI -40°C 85°C
CY14B104NA-ZS25XI
CY14B104NA-ZS25XI - 非易失性SRAM (NVSRAM), 4Mbit, 256K x 16位, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, TSOP-II-44

2772933

非易失性SRAM (NVSRAM), 4Mbit, 256K x 16位, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, TSOP-II-44

CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES

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1+ CNY232.83 (CNY263.10) 10+ CNY218.92 (CNY247.38) 25+ CNY211.31 (CNY238.78) 40+ CNY204.64 (CNY231.24) 135+ CNY180.13 (CNY203.55) 270+ CNY179.20 (CNY202.50) 更多价格信息...

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4Mbit 256K x 16位 25ns 25ns 2.7V 3.6V TSOP-II 44引脚 并行 -40°C 85°C
CY14B104LA-ZS25XI
CY14B104LA-ZS25XI - 非易失性SRAM (NVSRAM), 4Mbit, 512K x 8位, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, TSOP-II-44

2772930

非易失性SRAM (NVSRAM), 4Mbit, 512K x 8位, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, TSOP-II-44

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1+ CNY189.38 (CNY214.00)

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4Mbit 512K x 8位 25ns 25ns 2.7V 3.6V TSOP-II 44引脚 并行 -40°C 85°C
CY14V101QS-SE108XQ
CY14V101QS-SE108XQ - 非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 10ns读/写, QSPI, 2.7V至3.6V, SOIC-16

2749798

非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 10ns读/写, QSPI, 2.7V至3.6V, SOIC-16

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1+ CNY70.92 (CNY80.14)

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1Mbit 128K x 8位 10ns 10ns 2.7V 3.6V SOIC 16引脚 QSPI -40°C 105°C
CY14B108N-ZSP25XI
CY14B108N-ZSP25XI - 非易失性SRAM (NVSRAM), 8Mbit, 512K x 16位, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, TSOP-II-54

2772935

非易失性SRAM (NVSRAM), 8Mbit, 512K x 16位, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, TSOP-II-54

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1+ CNY396.40 (CNY447.93) 10+ CNY367.68 (CNY415.48) 25+ CNY354.54 (CNY400.63) 40+ CNY345.71 (CNY390.65) 108+ CNY309.70 (CNY349.96)

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8Mbit 512K x 16bit 25ns 25ns 2.7V 3.6V TSOP-II 54引脚 并行 -40°C 85°C
DS1270Y-70IND#
DS1270Y-70IND# - 非易失性SRAM (NVSRAM), 16Mbit, 2M x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.5V至5.5V, EDIP-36

2798719

非易失性SRAM (NVSRAM), 16Mbit, 2M x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.5V至5.5V, EDIP-36

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CY14B108N-ZSP45XI
CY14B108N-ZSP45XI - 存储器, NVSRAM, 8MB, -40 至 85度 C

3018603

存储器, NVSRAM, 8MB, -40 至 85度 C

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CY14B101KA-SP25XI
CY14B101KA-SP25XI - 非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, SSOP-48

2772927

非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, SSOP-48

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CY14V101QS-BK108XI
CY14V101QS-BK108XI - 非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 10ns读/写, QSPI, 2.7V至3.6V, FBGA-24

2749794

非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 10ns读/写, QSPI, 2.7V至3.6V, FBGA-24

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DS1230AB-120IND+
DS1230AB-120IND+ - 非易失性SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8位, 120ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

2909692

非易失性SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8位, 120ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

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