非易失性SRAM(NVSRAM)

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CY14B104LA-ZS25XI
CY14B104LA-ZS25XI - 非易失性 SRAM(NVSRAM),4 Mbit,512K x 8bit / 256K x 16bit,25 ns,2.7 V 至 3.6 V,TSOP-II-44

2772930

非易失性 SRAM(NVSRAM),4 Mbit,512K x 8bit / 256K x 16bit,25 ns,2.7 V 至 3.6 V,TSOP-II-44

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CY14B108N-ZSP25XI
CY14B108N-ZSP25XI - 非易失性SRAM (NVSRAM), 8Mbit, 512K x 16位, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, TSOP-II-54

2772935

非易失性SRAM (NVSRAM), 8Mbit, 512K x 16位, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, TSOP-II-54

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DS1330YP-70+
DS1330YP-70+ - 非易失性SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8位, 70ns读/写, 并行, 4.5V至5.5V, PWRCP-34

2909711

非易失性SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8位, 70ns读/写, 并行, 4.5V至5.5V, PWRCP-34

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M48Z58Y-70MH1F
M48Z58Y-70MH1F - 存储器, NVSRAM, 64KB, 0 至 70度 C

3367275

存储器, NVSRAM, 64KB, 0 至 70度 C

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M48Z58Y-70MH1F
M48Z58Y-70MH1F - 存储器, NVSRAM, 64KB, 0 至 70度 C

3367275RL

存储器, NVSRAM, 64KB, 0 至 70度 C

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DS1225AD-150IND+
DS1225AD-150IND+ - 非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8位, 150ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

2798717

非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8位, 150ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

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DS1225AB-70IND+
DS1225AB-70IND+ - 非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

2798716

非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

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DS1230AB-120IND+
DS1230AB-120IND+ - 非易失性SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8位, 120ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

2909692

非易失性SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8位, 120ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

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DS1245AB-70IND+
DS1245AB-70IND+ - 非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-32

2909701

非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-32

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- 1Mbit - 128K x 8位 70ns 70ns 4.75V 5.25V eDIP 32引脚 并行口 - 通孔安装 -40°C 85°C
CY14B101Q2A-SXI
CY14B101Q2A-SXI - 非易失SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 45ns读/写, SPI, 2.7V至3.6V, SOIC-8

2932636

非易失SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 45ns读/写, SPI, 2.7V至3.6V, SOIC-8

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- 1Mbit - 128K x 8位 45ns 45ns 2.7V 3.6V SOIC 8引脚 SPI - 表面安装 -40°C 85°C
DS1270Y-70IND#
DS1270Y-70IND# - 非易失性SRAM (NVSRAM), 16Mbit, 2M x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.5V至5.5V, EDIP-36

2798719

非易失性SRAM (NVSRAM), 16Mbit, 2M x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.5V至5.5V, EDIP-36

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- 16Mbit - 2M x 8bit 70ns 70ns 4.5V 5.5V eDIP 36引脚 并行口 - 通孔安装 -40°C 85°C
DS1225AD-70+
DS1225AD-70+ - 非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

2798718

非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

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1+ CNY155.72 CNY175.96 12+ CNY145.02 CNY163.87 36+ CNY143.47 CNY162.12 108+ CNY122.84 CNY138.81 252+ CNY118.69 CNY134.12 504+ CNY115.50 CNY130.52 更多价格信息...

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- 64Kbit - 8K x 8位 70ns 70ns 4.5V 5.5V eDIP 28引脚 并行口 - 通孔安装 0°C 70°C
DS1270Y-70#
DS1270Y-70# - 存储器, NVSRAM, 16MB, 0 至 70度 C

3404541

存储器, NVSRAM, 16MB, 0 至 70度 C

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- 16Mbit - 2M x 8bit 70ns 70ns 4.5V 5.5V eDIP 36引脚 并行口 - 通孔安装 0°C 70°C
M48Z12-70PC1
M48Z12-70PC1 - 非易失性SRAM (NVSRAM), 16Kbit, 2K x 8bit, 200ns读/写, 字节宽, 4.5V至5.5V, DIP-24

2807112

非易失性SRAM (NVSRAM), 16Kbit, 2K x 8bit, 200ns读/写, 字节宽, 4.5V至5.5V, DIP-24

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- 16Kbit - 2K x 8位 200ns 200ns 4.5V 5.5V DIP 24引脚 Bytewide - 通孔安装 0°C 70°C
CY14B108N-BA25XI
CY14B108N-BA25XI - 非易失性SRAM (NVSRAM), 8Mbit, 512K x 16位, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, FBGA-48

2772934

非易失性SRAM (NVSRAM), 8Mbit, 512K x 16位, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, FBGA-48

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- 8Mbit - 512K x 16位 25ns 25ns 2.7V 3.6V FBGA 48引脚 并行口 - 表面安装 -40°C 85°C
CY14V101QS-SE108XI
CY14V101QS-SE108XI - 非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 10ns读/写, QSPI, 2.7V至3.6V, SOIC-16

2749797

非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 10ns读/写, QSPI, 2.7V至3.6V, SOIC-16

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- 1Mbit - 128K x 8位 10ns 10ns 2.7V 3.6V SOIC 16引脚 QSPI - 表面安装 -40°C 85°C
CY14V101QS-SE108XQ
CY14V101QS-SE108XQ - 非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 10ns读/写, QSPI, 2.7V至3.6V, SOIC-16

2749798

非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 10ns读/写, QSPI, 2.7V至3.6V, SOIC-16

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- 1Mbit - 128K x 8位 10ns 10ns 2.7V 3.6V SOIC 16引脚 QSPI - 表面安装 -40°C 105°C
CY14B108N-ZSP45XI
CY14B108N-ZSP45XI - 存储器, NVSRAM, 8MB, -40 至 85度 C

3018603

存储器, NVSRAM, 8MB, -40 至 85度 C

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- 8Mbit - 512K x 16位 25ns 25ns 2.7V 3.6V TSOP-II 54引脚 并行口 - 表面安装 -40°C 85°C
CY14B101NA-ZS25XI
CY14B101NA-ZS25XI - 非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 64K x 16位, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, TSOP-II-44

2772928

非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 64K x 16位, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, TSOP-II-44

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- 1Mbit - 64K x 16位 25ns 25ns 2.7V 3.6V TSOP-II 44引脚 并行口 - 表面安装 -40°C 85°C
CY14V101QS-SF108XQ
CY14V101QS-SF108XQ - 非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 10ns读/写, QSPI, 2.7V至3.6V, SOIC-16

2749793

非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 10ns读/写, QSPI, 2.7V至3.6V, SOIC-16

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1+ CNY131.05 CNY148.09 10+ CNY121.38 CNY137.16 25+ CNY118.18 CNY133.54 100+ CNY103.57 CNY117.03 250+ CNY101.36 CNY114.54

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- 1Mbit - 128K x 8位 10ns 10ns 2.7V 3.6V SOIC 16引脚 QSPI - 表面安装 -40°C 105°C
CY14V101QS-BK108XI
CY14V101QS-BK108XI - 非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 10ns读/写, QSPI, 2.7V至3.6V, FBGA-24

2749794

非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 10ns读/写, QSPI, 2.7V至3.6V, FBGA-24

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1+ CNY112.66 CNY127.31 10+ CNY104.29 CNY117.85 25+ CNY89.02 CNY100.59 100+ CNY87.12 CNY98.45

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CY14V101PS-SF108XI
CY14V101PS-SF108XI - 非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 10ns读/写, 串行SPI, 2.7V至3.6V, SOIC-16

2749796

非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 10ns读/写, 串行SPI, 2.7V至3.6V, SOIC-16

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CY14B104NA-BA45XI
CY14B104NA-BA45XI - 非易失性SRAM (NVSRAM), 4Mbit, 256K x 16位, 45ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, FBGA-48

2772932

非易失性SRAM (NVSRAM), 4Mbit, 256K x 16位, 45ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, FBGA-48

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CY14B101KA-SP25XI
CY14B101KA-SP25XI - 非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, SSOP-48

2772927

非易失性SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 25ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, SSOP-48

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CY14B256KA-SP45XI - 非易失性SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8位, 45ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, SSOP-48

2772936

非易失性SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8位, 45ns读/写, 并行, 2.7V至3.6V, SSOP-48

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