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BSC052N03LSATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 57 A, 4300 µohm, TDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY3.890 (CNY4.3957) |
| 10+ | CNY3.520 (CNY3.9776) |
| 100+ | CNY3.150 (CNY3.5595) |
| 500+ | CNY2.780 (CNY3.1414) |
| 1000+ | CNY2.410 (CNY2.7233) |
| 5000+ | CNY2.040 (CNY2.3052) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC052N03LSATMA1
库存编号2443370
也称为BSC052N03LS, SP000807602
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续57A
漏源接通状态电阻4300µohm
晶体管封装类型TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散28W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The BSC052N03LS is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. It is tailored to the needs of power management by improved EMI behaviour, as well as increased battery life. It is available in half-bridge configuration.
- Easy to design in
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Saving space
- Reducing power losses
- Optimized for high performance Buck converter
- Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
57A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
28W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
4300µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000153