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MT62F768M32D2DS-023 WT:B
DRAM, 移动 LPDDR5, 24 Gbit, 768M x 32位, 4.266 GHz, FBGA
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY190.970 (CNY215.7961) |
| 10+ | CNY176.990 (CNY199.9987) |
| 25+ | CNY169.100 (CNY191.083) |
| 50+ | CNY164.280 (CNY185.6364) |
| 100+ | CNY156.520 (CNY176.8676) |
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT62F768M32D2DS-023 WT:B
库存编号4163500
DRAM类型移动 LPDDR5
存储密度24Gbit
记忆配置768M x 32位
时钟频率最大值4.266GHz
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数-
额定电源电压1.05V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-25°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
产品概述
- Mobile LPDDR5/LPDDR5X SDRAM
- 17.1GB/s maximum bandwidth per channel, selectable CKR (WCK:CK = 2:1 or 4:1) architecture
- Background ZQ calibration/command-based ZQ calibration, link protection (link ECC) support
- I/O type: Low-swing single-ended, VSS terminated, VOH-compensated output drive, DVFSQ support
- Dynamic voltage frequency scaling core, single-ended CK, single-ended WCK, and single-ended RDQS
- Operating voltage is 1.05V VDD2H / 0.5V VDDQ
- 768 Meg x 32 configuration, 2 die
- 315-ball TFBGA package
- 3GB (24Gb) total density, 8533Mb/s data rate per pin
- Operating temperature rating range from -25°C ≤ Tc ≤ +85°C
技术规格
DRAM类型
移动 LPDDR5
记忆配置
768M x 32位
IC 外壳 / 封装
FBGA
额定电源电压
1.05V
工作温度最小值
-25°C
产品范围
-
存储密度
24Gbit
时钟频率最大值
4.266GHz
针脚数
-
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005411