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CSD23381F4
功率场效应管, MOSFET, P通道, 12 V, 2.3 A, 0.15 ohm, LGA, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 500+ | CNY0.554 (CNY0.626) |
| 1000+ | CNY0.490 (CNY0.5537) |
| 5000+ | CNY0.425 (CNY0.4802) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 500
多件: 5
CNY277.00 (CNY313.01 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2.3A
晶体管封装类型
LGA
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
12V
漏源接通状态电阻
0.15ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
950mV
针脚数
3引脚
产品范围
FemtoFET
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.000002