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CSD25402Q3A
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 35 A, 0.0077 ohm, VSON, 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY5.880 (CNY6.6444) |
| 100+ | CNY3.960 (CNY4.4748) |
| 500+ | CNY3.190 (CNY3.6047) |
| 1000+ | CNY2.520 (CNY2.8476) |
| 5000+ | CNY2.340 (CNY2.6442) |
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产品信息
制造商产品编号CSD25402Q3A
库存编号3125070
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续35A
漏源接通状态电阻0.0077ohm
晶体管封装类型VSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值900mV
功率耗散69W
针脚数8引脚
工作温度最高值125°C
产品范围-
合规-
产品概述
CSD25402Q3A是一款NexFET™P沟道功率MOSFET, 最大限度地降低负载管理应用中的功率转换损耗. 3.3×3.3mm封装, 可提供出色的散热性能.
- 超低Qg与Qgd
- 低热阻
- 低RDS (ON)
- 无卤素
- 塑料包装
- 工作结温范围-55至150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
35A
晶体管封装类型
VSON
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
69W
工作温度最高值
125°C
合规
-
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.0077ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
900mV
针脚数
8引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000091