打印页面
CSD88537ND
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm
可订购
制造商标准交货时间：105 周
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.910 (CNY13.4583) |
| 10+ | CNY7.940 (CNY8.9722) |
| 100+ | CNY5.680 (CNY6.4184) |
| 500+ | CNY4.500 (CNY5.085) |
| 1000+ | CNY3.690 (CNY4.1697) |
| 5000+ | CNY3.630 (CNY4.1019) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY11.91 (CNY13.46 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商产品编号CSD88537ND
库存编号3009688
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道15A
连续漏极电流 Id P沟道15A
漏源通态电阻N沟道0.0125ohm
漏源导通电阻P沟道0.0125ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.1W
耗散功率P沟道2.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
产品概述
The CSD88537ND is a 60V Dual N-channel NexFET™ Power MOSFET designed to serve as a half bridge in low current motor control applications.
- Ultra low Qg and Qgd
- Avalanche rated
- Halogen-free
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
15A
漏源导通电阻P沟道
0.0125ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.1W
产品范围
-
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
15A
漏源通态电阻N沟道
0.0125ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536