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产品概述
The CSD88537ND is a 60V Dual N-channel NexFET™ Power MOSFET designed to serve as a half bridge in low current motor control applications.
- Ultra low Qg and Qgd
- Avalanche rated
- Halogen-free
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
15A
漏源导通电阻P沟道
0.0125ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.1W
产品范围
-
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
15A
漏源通态电阻N沟道
0.0125ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量(千克):.004536