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CSD88537NDT
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm
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| 10+ | CNY10.140 (CNY11.4582) |
| 100+ | CNY9.370 (CNY10.5881) |
| 500+ | CNY8.590 (CNY9.7067) |
| 1000+ | CNY7.820 (CNY8.8366) |
| 5000+ | CNY7.040 (CNY7.9552) |
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产品信息
制造商产品编号CSD88537NDT
库存编号3125082
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道15A
连续漏极电流 Id P沟道15A
漏源通态电阻N沟道0.0125ohm
漏源导通电阻P沟道0.0125ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.1W
耗散功率P沟道2.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
产品概述
The CSD88537NDT is a NexFET™ dual N-channel Power MOSFET designed to serve as a half bridge in low current motor control applications.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Avalanche rated
- Halogen-free
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
15A
漏源导通电阻P沟道
0.0125ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.1W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
15A
漏源通态电阻N沟道
0.0125ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001